用于电光应用的HGTR-KTP晶体

低插入损耗，低四分之一波长电压
高重复率和宽光学带宽
比普通 KTP 具有更高的抗灰迹性（5X-10X）
高损伤阈值
无压电振铃
应用：Q 开关、脉冲拾取和电光调制器

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标准 HGTR-KTP 电光晶体规格：

材料	HGTR-KTP 晶体	孔径范围	从 2x2mm 到 10x10mm
镀膜	AR/AR； R<0.2%@1064nm	损伤阈值	>600MW/cm^2 @1064nm, 10nS
波前畸变@1064nm		透射率	>98.5%
消光比	>20dB

HGRT-KTP 特性：

材料	HGTR-KTP 晶体	尺寸公差	(W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm)
尺寸范围	孔径：~10x10mm；长度：~15mm	通光孔径	中心 90% 或直径
晶体散射	使用 50mW 绿光激光器检查时未发现可见的散射路径或中心	平整度	小于 λ/8 @ 633nm
透射波前畸变	小于 λ/8 @ 633nm	倒角	≤0.2mmx45°
芯片	≤0.1mm	表面质量	优于 10/5 S/D (MIL-PRF-13830B)
平行度	≤20 角秒	垂直度	≤5 角分
角度公差	≤0.25°	镀膜	两端面均镀有AR/AR@1064nm镀膜
质量保证期	正确使用情况下，质保一年

1. HGTR-KTP 晶体模块，X 切割方向

模块	描述
SHKTP-EO315X	3x3x15mm-X 切割；1/4 波电压=1200V±15%
SHKTP-EO325X	3x3x25mm-X 切割； 1/4 波电压=600V±15%
SHKTP-EO415X	4x4x15mm-X 切割；1/4 波电压=1600V±15%
SHKTP-EO425X	4x4x25mm-X 切割； 1/4 波电压=800V±15%
SHKTP-EO515X	5x5x15mm-X 切割；1/4 波电压=2000V±15%
SHKTP-EO525X	5x5x25mm-X 切割； 1/4 波电压=1000V±15%
SHKTP-EO615X	6x6x15mm-X 切割；1/4 波电压=2300V±15%
SHKTP-EO625X	6x6x25mm-X 切割； 1/4 波电压=1150V±15%
SHKTP-EO715X	7x7x15mm-X 切割；1/4 波电压=2700V±15%
SHKTP-EO718X	7x7x18mm-X 切割； 1/4 波电压=2000V±15%
SHKTP-EO725X	7x7x25mm-X 切割；1/4 波电压=1350V±15%
SHKTP-EO815X	8x8x15mm-X 切割； 1/4 波电压=3200V±15%
SHKTP-EO825X	8x8x25mm-X 切割；1/4 波电压=1600V±15%
SHKTP-EO830X	8x8x30mm-X 切割； 1/4 波电压=1400V±15%
SHKTP-EO1015X	10x10x15mm-X 切割；1/4 波电压=3900V±15%

灰迹是指在可见光或紫外光谱中，当光被短波长的光照射时产生的诱导吸收，这通常会导致随后的光致变色损伤。常规助熔剂生长的KTP晶体经常会因极化子而出现灰迹损伤。相比普通KTP晶体，水热法生长的HGTR KTP晶体表现出更强的抗灰迹性（约为普通KTP晶体的5到10倍）。

Shalom EO为电光调制应用提供HGTR KTP晶体。除了优异的灰度轨迹外，我们的HGTR KTP还具有较高的损伤阈值（损伤阈值：≥2GW/cm2 @1064nm，TEM00，10ns，10Hz）、优异的热性能/机械性能以及良好的化学稳定性，使其适合制作综合性能优异的电光器件。

HGTR KTP晶体

HGTR KTP晶体

高抗灰轨性能
高损伤阈值：>2GW/cm^2 (@1064nm; TEM00, 10nS,10Hz)
高达 80% 的转换效率
常见应用：连续波 (CW) 和高平均功率 SHG 用于绿光激光器、电光调制、光波导

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RTP晶体

RTP晶体

宽广的透明范围：0.35μm 至 4.5μm
高损伤阈值（是 KTP 的 1.8 倍）
高电阻率和高重复率
卓越的均匀性和高激光损伤阈值
无声振铃，在宽温度范围内（-60℃-+80℃）稳定

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