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TSAG晶体

  • 更高的维尔德常数(1064 nm 时为 48 radT^-1m^-1),比 TGG 晶体高 20%
  • 低吸收率,比 TGG 晶体低 30%
  • 卓越的热性能和卓越的机械特性
  • 非常适合高功率激光器和紧凑型设计
  • 可提供精密抛光和增透膜
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规格:

方向±15 弧分以内消光比>30dB
长度公差±0.2mm直径公差+0mm/-0.05mm
表面平整度<λ/10@633nm
表面质量10/5 S/D
波前畸变<λ/8平行度3弧分
垂直度<5弧分增透膜
Ravg0.3% @1064nm
倒角

0.1mm, 45°


材料特性:

透射范围(本体/未镀膜)400-1600nm
化学性质分子式
Tb3Sc2Al3O12
生长方法提拉法熔化温度
1970°C±10°C
材料密度
5.91g/cm3
晶格常数
12.3埃
晶体结构
立方

TSAG 晶体,即铽钪铝石榴石晶体化学成分 Tb3Sc2AI3O12 是一种用于制造下一代光纤激光器法拉第光隔离器的极佳磁光材料。法拉第隔离器是一种关键的光学元件,它可以减轻连续波和重复脉冲激光器中不良反馈造成的有害热效应。TSAG 晶体是制造法拉第隔离器的一种常用介质。TSAG 晶体是一种新型晶体材料,比 TGG 晶体具有更强的功能。

TSAG 晶体的维尔德常数(表示材料诱导法拉第旋转强度的参数)非常高(在 1064 nm 处为 48 radT^-1m^-1,比 TGG 晶体高 20%)。 TSAG晶体具有更高的场常数和更低的吸收损耗(与TGG晶体相比,吸收率降低了30%),这意味着使用TSAG晶体制造的隔离器可以做得更紧凑,使其成为高功率光隔离器的理想材料。

TSAG晶体的热力学性质和机械性质也非常出色,其中热力学性质有助于降低热致双折射。所有这些优点使TSAG晶体成为高平均功率激光器的理想选择,同时允许紧凑的设计。TSAG的透射范围广泛,从400nm到1600nm,适用于在可见光和近红外波段工作的激光器。此外,TSAG 晶体还可用作闪烁体,例如集成辐射探测器或闪烁屏。

杭州沙洛姆光电技术有限公司提供采用提拉法生长的精密抛光 TSAG 晶体,适用于光隔离器、法拉第旋转器和循环器。这些晶体表面质量优异(10/5 S/D),并镀有透射率增透膜。我们能够生长大口径、品质卓越的 TSAG 晶体。