GOS（Gd2O2S:Pr）闪烁体阵列

高光输出和高密度，极佳的可加工性
3 ms 时低于 0.1% 的低余辉，优异的防潮性，良好的化学稳定性
与硅光电二极管 (Si PD) 的光谱灵敏度完美匹配
发射峰值光谱范围为 470 ~ 900 nm
最小像素或晶体元件尺寸：0.3mm x 0.3mm
应用：计算机断层扫描 (CT) 扫描仪、安全设备和无损检测系统

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基本性质：

密度 (g/cm³)	7.34	原子系数	60
分子式	Gd2O2S	相对分子质量	378
吸湿性	无	折射率	2.2
熔点	2070°C	晶体结构	六方晶系
Zeff	61.1

规格：

外观尺寸精度	<0.,03mm@42x48mm	平整度	<0.03@42x48mm
像素尺寸一致性	±0.01mm	边缘反射厚度差异	<±0.05

X射线光电特性：

光输出	27000 ph/MeV	峰值波长	512nm
衰减时间	3μs	余辉	<0.1%@3ms, <0.01%@100ms
差分像素光输出波动	≦5%	差分阵列光输出波动	≦10%
串扰 (Cap0.085)	≦8%	GOS陶瓷阵列辐照损伤	1 Mrad的20%

氧化硫化钆，简称GOS（Gd2O2S:Pr），是一种具有六方晶体结构的陶瓷闪烁材料。GOS晶体具有良好的化学稳定性、优异的可加工性，并且对环境无害。掺杂稀土离子的GOS具有高光输出和较浅的余辉水平（3毫秒时小于0.1%）。GOS闪烁陶瓷的发射峰波长范围为470nm至900nm，与硅光电二极管（Si PD）的光谱灵敏度高度匹配。

杭州煦和光电提供线性或二维设计的GOS闪烁体阵列。我们的GOS闪烁阵列广泛应用于计算机断层扫描（CT）扫描仪、安防设备和无损检测系统。此外，Shalom EO 还提供与硅光电二极管耦合的 GOS 闪烁阵列。

1. 曲线：杭州煦和光电公司GOS陶瓷的X射线激发发光光谱

1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

Code: SA-PD16A-16-1.575

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GOS陶瓷（GOS:Pr、GOS:Tb）

提供两种材料 GOS:Pr 和 GOS:Tb 闪烁体
高光输出和低余辉
环保
应用：CT 扫描仪、辐射检测、安全设备和非破坏性测试
还提供 GOS 闪烁体屏幕

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