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  • GOS陶瓷(GOS:Pr、GOS:Tb)
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GOS陶瓷(GOS:Pr、GOS:Tb)

  • 提供两种材料 GOS:Pr 和 GOS:Tb 闪烁体
  • 高光输出和低余辉
  • 环保
  • 应用:CT 扫描仪、辐射检测、安全设备和非破坏性测试
  • 还提供 GOS 闪烁体屏幕
联系我们  

GOS:Pr 闪烁体:

基本性质:

密度(g/cm3)7.34原子系数60
分子式Gd2O2S相对分子质量378
吸湿性折射率2.2
熔化点2070°C晶体结构六方晶系
Zeff61.1

规格:

外观尺寸精确<0.,03mm@42x48mm平整度<0.03@42x48mm
像素大小一致性±0.01mm
差异边缘反射厚度

<±0.05

X射线光电特性:

光输出27000 ph/MeV峰值波长512nm
衰减时间3μs余辉<0.1%@3ms, <0.01%@100ms
差异像素光输出波动≦5%差异像素光输出波动阵列≦10%
串扰 (Cap0.085)≦8%
GOS陶瓷阵列的辐照损伤

1 Mrad的20%


GOS:Tb闪烁体:

与其他材料的性能比较

材料 CsI(Tl) GOS:Tb GOS:Pr
峰值波长 560 550 510
形貌 立方体 多晶陶瓷 多晶陶瓷
透明度 透明 半透明 半透明
光输出/MeV 59000 46500 27000
衰减时间/ns 1 600 3
余辉/@3ms ≤1% ≤0.1% ≤0.05%
原子系数 64 60 60
密度/g-cm3 4.51 7.34 7.34
吸湿性 略有
辐射损伤 / 12%(1Mrad) 6%(1Mrad)

GOS陶瓷,又称氧化硫化钆陶瓷,主要由化合物氧化硫化钆(Gd2O2S)组成。GOS陶瓷属于六方晶系结构(空间群:P3− ml;晶格参数:a = b = 0.3851 nm 和 c = 0.6664 nm),具有三角对称性。

氧化硫化钆(GOS)是一种优异的闪烁材料,因为它具有高密度(7.43 g/cm3)和足够的Gd原子序数。这些特性使其与X射线辐射的相互作用势能更大。固态 Gd2O2S (GOS) 还表现出良好的化学和物理特性,例如高熔点(2070 ◦C)、高 X 射线衰减系数(70 keV 时约 52 cm−1)、宽带隙(4.6–4.8 eV)、良好的化学耐久性、低声子能量、低晶体对称性和低毒性,这使其成为发光和闪烁应用的有前途的主体材料。

铽激活氧化硫化钆 (GOS: Tb​​) 作为 X 射线成像的闪烁体具有突出表现。其发射波长在382nm至622nm之间,发射峰位于545nm。采用均相沉淀法合成的GOS:Pr亚微米荧光粉有望成为一种新型绿色发光材料,应用于高分辨率数字X射线成像领域。它也是投影式显像管(CRT)中性能优异的绿色荧光粉。

GOS:Pr(镨激活氧化硫化钆)展现出独特的发光性能。 Pr3+激活的GOS陶瓷具有高X射线转换效率、对入射X射线的强大阻止能力、短寿命、快速余辉、高化学稳定性和良好的发射性能,与硅光电二极管的高灵敏度相匹配,是一种适用于高质量成像应用的有效陶瓷闪烁材料。

杭州煦和光电技术有限公司提供GOS:Pr和GOS:Tb闪烁材料。我们的Pr掺杂GOS和Tb掺杂GOS具有高光输出、低余辉和环保等特点。我们已开发出具备所需能力的先进生产线。此外,我们还提供GOS闪烁屏。

图 1. GOS 闪烁屏结构示意图

 

GOS 闪烁屏制作工艺介绍

1. 采用共沉淀法制备 Gd2O3 和 Tb2O3 混合粉末;

2. 高温硫化烧结形成 GdSO 颗粒;

3. 加入粘合剂,压制成片,并与 PET 基板粘合;

4. 在出光面上粘贴保护层;

5. Gd2OS2:Tb,发射峰为 550nm。


图1. GOS闪烁层厚度参数图

GOS(Gd2O2S:Pr)闪烁体阵列

GOS(Gd2O2S:Pr)闪烁体阵列

  • 高光输出和高密度,极佳的可加工性
  • 3 ms 时低于 0.1% 的低余辉,优异的防潮性,良好的化学稳定性
  • 与硅光电二极管 (Si PD) 的光谱灵敏度完美匹配
  • 发射峰值光谱范围为 470 ~ 900 nm
  • 最小像素或晶体元件尺寸:0.3mm x 0.3mm
  • 应用:计算机断层扫描 (CT) 扫描仪、安全设备和无损检测系统
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