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基本性质：
锗酸铋 Bi4Ge3O12 (BGO) 是一种常见的重氧化物闪烁体材料。BGO 的原子序数高达 83，质量也很大（7.13 g/cm³）。BGO 闪烁体的发光光谱在可见光谱范围内的 480 nm 处达到最大值。BGO 的优点包括其不吸湿性以及良好的机械和辐射稳定性。BGO 闪烁体在高达 103 rad 的辐射剂量下也能保持稳定。
BGO 晶体的另一个重要优势是几乎完全没有余辉。BGO 主要闪烁成分在室温下的衰减时间为 300 ns。 BGO晶体的上述所有优势使其成为高能物理、紧凑型断层扫描设备和主动背景辐射防护领域极具吸引力的候选材料。
杭州煦和光电技术有限公司提供像素化BGO闪烁阵列，并可根据客户需求定制像素尺寸和设计。沙洛姆光电技术的像素化BGO闪烁体非常适合正电子发射断层扫描 (PET)、计算机断层扫描 (CT)、工业无损检测 (NDT) 和其他研究应用。我们的单层BGO阵列系列还可以集成到多层闪烁阵列中，进一步提高正电子发射断层扫描 (PET) 的分辨率。