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与其他材料的特性比较
GOS陶瓷（Gd2O2S）属于六方晶系结构。在众多无机闪烁体中，氧化硫化钆（Gd2O2S，GOS）基材料因其高密度（7.34 g/cm3）、宽带隙（4.6 eV）、高抗辐射性能而颇具吸引力。掺杂Tb离子的GOS具有光输出高、无环境有害成分、余辉低等特点，发射峰波长范围为470至900 nm；它通常与工作电压为25-130kV的低能探测器配对，可用于CT扫描仪、辐射探测、安全设备和无损检测等各种用途。
近年来，随着中子探测技术的快速发展，GOS：Tb闪烁体由于其超高的Gd中子俘获截面、高空间分辨率以及与CCD相机良好的耦合性（GOS具有粉末状结构，可与任意像素尺寸的传感器耦合）而显示出良好的应用前景。