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规格参数：
1. 高光输出型 GOS:Tb 闪烁薄膜规格：
*说明1：表中的相对光输出百分比以 SSF-GOSTb-002 的光输出为 100% 作为基准， 计算 SSF-GOSTb-001 和 SSF-GOSTb-003 相对于 SSF-GOSTb-002 的光输出百分比。
*说明2：表中的相对 MTF 百分比以 SSF-GOSTb-002 的 MTF 为 100% 作为基准， 计算 SSF-GOSTb-001 和 SSF-GOSTb-003 相对于 SSF-GOSTb-002 的 MTF 百分比。
2. 低余辉型 GOS:Pr 闪烁薄膜规格：
*说明3：表中的相对光输出百分比以 SSF-GOSPr-002 的光输出为 100% 作为基准， 计算 SSF-GOSPr-001 和 SSF-GOSPr-003 相对于 SSF-GOSPr-002 的光输出百分比。
模块及类型：
以下为 Shalom EO 提供的标准 GOS 闪烁薄膜产品。 有关各模块的详细规格参数，请查看规格参数选项卡。
GOS 闪烁陶瓷薄膜是一种由 GOS 陶瓷闪烁层、PET 基底层以及表面的 PET 保护层组成的复合薄膜。 硫氧化钆（Gadolinium Oxysulfide，GOS）的化学式为 Gd2O2S，是一种性能优异的闪烁材料，具有 高光输出、高密度和低余辉等特点。
GOS 陶瓷薄膜通常与其他闪烁材料制成的闪烁体阵列配合使用，例如 铊掺杂碘化铯（CsI:Tl）闪烁体阵列 ， 用于实现双能 X 射线探测。在双能 X 射线探测系统中，GOS 薄膜、闪烁体阵列和滤波片按照一定结构叠层组合， 利用 X 射线的两种不同能级进行探测。其中，GOS 薄膜主要用于吸收并转换低能 X 射线，而另一种闪烁体阵列则主要用于探测高能 X 射线。
杭州煦和光电（Hangzhou 煦和光电）提供系列 GOS 闪烁体产品，包括 GOS 闪烁晶体（铽激活 GOS 和镨激活 GOS）、 像素化 GOS 闪烁体阵列以及本页面所介绍的GOS 闪烁陶瓷薄膜。
我们可根据客户的具体需求，提供标准及定制 GOS 薄膜，支持不同尺寸和厚度的产品定制。 所提供的 GOS 陶瓷闪烁薄膜可与 TFT、CCD 和 PD 芯片进行耦合，适用于不同类型的 X 射线探测与成像系统。
标准 GOS 闪烁薄膜主要提供以下两种类型：
1. 高光输出型 GOS:Pr 薄膜：该类型 GOS 薄膜具有更高的亮度和更高的辐射响应灵敏度， 即在单位辐射剂量下能够产生更多的可见光。因此，与薄膜耦合的光电探测器可以接收到更强的光信号， 在进行 X 射线成像时可获得更高的信噪比。高光输出型 GOS 薄膜尤其适用于低剂量率 X 射线成像等应用。
2. 低余辉型 GOS:Tb 薄膜：该类型 GOS 薄膜具有更低的余辉，可有效减少图像残影， 因此特别适用于对成像速度和动态响应要求较高的应用，包括高速 X 射线成像、工业在线实时检测以及动态数字 X 射线摄影等。
煦和光电GOS 陶瓷闪烁薄膜的制造工艺（以 GOS:Tb 薄膜为例）如下：
1. 采用共沉淀法制备 Gd2O3 和 Tb2O3 混合粉体；
2. 通过高温硫化烧结形成 GOS 晶粒；
3. 加入粘结剂，将材料压制成片，并与 PET 基底进行复合；
4. 在出光表面贴合 PET 保护层；
5. 制得 GOS:Tb 闪烁薄膜，其发射峰位于约 550 nm。
图1. 煦和光电GOS闪烁陶瓷薄膜结构示意图