300-900nm 绝缘体上铌酸锂 (LNOI)

绝缘体上铌酸锂 (LNOI) 绝缘体上铌酸锂 (LNOI) 是一个极具前景的集成光子学平台。它涉及将铌酸锂薄膜转移到绝缘基底上，例如二氧化硅或氮化硅。该技术可以将铌酸锂基器件与现有的硅光子学平台集成，这些器件以其优异的电光、非线性光学 (NLO) 和压电特性而闻名。

铌酸锂是一种用途广泛且性能优异的材料，具有高非线性特性以及独特的电光和压电特性。此外，近年来，薄膜铌酸锂或绝缘体上铌酸锂 (LNOI) 的发展为高密度集成光子学领域带来了突破性进展。

LNOI 的一大显著优势是其高电光系数，这使得其能够以低功耗高效地调制光信号。这一特性对于开发用于数据通信设备的高速光调制器至关重要。此外，铌酸锂的非线性光学特性使其能够通过二次谐波产生和参量放大等过程产生新的频率，从而实现波长转换应用。 薄膜 LiNbO3 调制器 可降低有害的自由载流子效应，具有体积小、带宽宽、数据传输速率高、兼容 CMOS 电压驱动器以及功耗低等优势。 LNOI 滤波器在宽带宽、高频率、更佳导热性和对温度变化的稳定性方面表现出色。LNOI 也是制造用于高频光机械器件的超低损耗谐振器的绝佳技术，符合下一代市场对宽带宽和高射频的需求。

随着纳米制造技术的成熟，Shalom EO 能够提供纳米级300-900nm 绝缘体上铌酸锂 (LNOI)。我们的绝缘体上铌酸锂 (LiNbO3) 由厚度范围为 300-900nm 的铌酸锂超薄功能薄膜、由硅/石英/铌酸锂/熔融石英制成的支撑基板以及可选的 SiO2 隔离层组成。 LNOI具有插入损耗低、稳定性可靠等特点，用于制作高速电光调制器、高性能SAW滤波器效果优异，适用于数据中心、长距离数据传输、手机、基站等应用环境。

图 1. 显示了绝缘体上铌酸锂/LNOI 的结构。