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  • CZT(CdZnTe)晶片和基板
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CZT(CdZnTe)晶片和基板

  • 优异的电性能、低暗电流和卓越的热稳定性
  • 用于碲镉汞 (MCT) 外延生长
  • 红外探测器的尖端选择(红外透射率≥60%)
  • 室温操作
  • 表面粗糙度 (Ra) ≤0.5nm
  • 应用领域:半导体辐射探测器、光折变光栅、电光调制器、太阳能电池和太赫兹波产生
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规格:

材料 Cd1-xZnxTe,x=0.04 类型 p型
尺寸(mm3) 14×14×1.3, 10×10×1  晶面指数 (111),(211)
取向及精度 低指数面取向,取向精度≤0.3° 电阻率 ρ>106Ω·cm
红外透过率(%) ≥60% 红外成像 Te包裹体≤2μm
或镉夹杂物≤2μm
X射线DCRC半高宽(FWHM) ≤30 rad·s 平均蚀刻坑密度(EPD) 1x104/cm2~ 5x104/cm2
表面粗糙度 Ra≤0.5 nm 包装1000级洁净室,真空包装
储存温度 22℃~25℃ 储存湿度 45%~60%

碲化镉锌 (CZT /CdZnTe) 衬底,是镉、锌和碲的化合物,具有优异的电学性能、低暗电流和卓越的热稳定性。

由于其晶格常数与 HgCdTe (MCT) 相似,CdZnTe (CZT) 衬底是 HgCdTe (MCT) 外延薄膜生长的传统选择。尽管在大面积生长价格实惠的高质量衬底方面存在困难,但由于MCT外延薄膜对红外(IR)波长的透射性,CZT晶圆仍然是红外探测器、光折变光栅、电光调制器、太阳能电池和太赫兹发生器的最佳选择。

作为一种具有高原子序数的直接带隙半导体,基于CZT衬底的红外器件在灵敏度和可靠性方面仍然是市场上的前沿选择。CZT衬底可高效地将光子转换为电子,并具有高分辨率,可作为辐射探测介质,从而促进包括医学成像、科学研究和工业检测在内的各种任务。此外,与需要液氮冷却的其他一些材料(尤其是Ge)不同,使用CZT的辐射探测器可以在室温下以直接转换(或光电导)模式工作。低暗电流使 CZT 基板在光照不足的条件下具有优势,而良好的热稳定性使其适用于高温环境。

杭州煦和光电可根据客户要求提供定制 CZT 基板和晶圆,表面粗糙度精细,小于 0.5nm,采用 1000 级洁净室真空包装。