GaAs（砷化镓）晶体和晶片

闪锌矿晶格结构，电子迁移率比硅高5至6倍
高频、高低温性能良好，噪音低，耐辐射性能好
表面粗糙度：Ra <0.5nm
洁净封装：1000级洁净室和100级包装袋
应用：其他III-V族半导体外延生长、微波频率集成电路、单片微波集成电路、红外发光二极管、激光二极管、太阳能电池和光学窗口

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规格：

方向	(100) 0°±0.5°, (100) 2°±0.5° 朝向 <111>A, (100)15°±0.5° 朝向 <111>A	尺寸 (mm)	25×25×0.3, 10×10×0.35, 10×5×0.35, 5×5×0.35
抛光	SSP（单表面抛光）或 DSP（双面抛光）	表面粗糙度	≤0.5nm

基本特性：

生长方法	VGF/ HB	晶体结构	闪锌矿
外观	深红色玻璃状晶体	密度	5.3176 g/cm³
晶格常数	5.65×10^-10m	摩尔质量	144.645 g•mol^-1
带隙 @300 K	1.424eV	电子迁移率 @300K	8500 cm²/(V×s)
热导率 @300K	0.55 W/(cm×K)	化学稳定性	不溶于水、乙醇、甲醇、和丙酮。可溶于盐酸。
折射率	3.3

单晶	掺杂	导电类型	载流子浓度	位错密度
GaAs	Si	无	>5×10¹⁷厘米^-3	<5×10⁵ 厘米^-2

砷化镓 (GaAs) 晶体是镓和砷元素的晶体化合物。它是一种具有闪锌矿晶体结构的 III-V 族直接带隙半导体。GaAs 晶片的基本功能是用作其他 III-V 族半导体（包括砷化铟镓、砷化铝镓等）外延薄膜生长的衬底材料。这种衬底在高频、高温和低温下性能良好，噪声低，抗辐射能力强，并且比硅具有更高的电子迁移率，因此非常适合射频 (RF) 和微波器件等高频应用。此外，GaAs 具有直接带隙，能够高效发射和吸收光，使其成为高密度 p-i-n 探测器和具有坚固硅电子集成电路的激光二极管等光电设备的理想选择。

杭州煦和提供定制的 GaAs 晶体、晶片和基板，适用于外延生长、微波、红外 LED、激光二极管、太阳能电池和红外光学窗口等应用。