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GaN(氮化镓)晶体和晶片

  • 宽直接带隙、强原子键和高热容量/导热性
  • 稳定的物理和化学性质
  • 在短波长范围内具有优异的光电特性
  • GaN晶片的典型取向:C轴或<0001>
  • 应用:蓝光、绿光和紫外光LED,蓝光和紫外光激光二极管(LD),大功率电子器件和高频电子器件
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规格

类型 GaN-FS-10 GaN-FS-15
尺寸 10.0mm×10.5mm 14.0mm×15.0mm
厚度 300级、350级、
400级
300 ± 25 µm、350 ± 25 µm、
400 ± 25 µm
取向 C轴(0001) ± 0.5°
TTV ≤15 µm
BOW ≤20 µm
载流子浓度 >5x1017/cm3 /
导电类型 N型 半绝缘
电阻率 (@300K) < 0.5 Ω•cm >106 Ω•cm
位错密度 小于 5x106 cm-2
可用表面积 > 90%
抛光 正面:Ra <0.2nm。外延级抛光
背面:精细研磨
封装 在100级洁净室环境中封装,
置于单晶圆容器中,氮气保护。

 


氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料,具有宽直接带隙(3.4 eV)、强原子键(这使其具有稳定的物理和化学性质)、优异的热性能和优异的抗辐射性能。GaN(氮化镓)晶体和晶片在短波长下表现出优异的光电特性,使其可用于 LED 应用(蓝光、绿光、紫外光)和紫外探测器。GaN 晶体和晶片也适用于制造高温半导体器件。

杭州煦和光电技术有限公司可根据客户需求提供定制氮化镓晶片和基板,包括 N 型和半绝缘型 GaN 晶片。我们的氮化镓晶体和晶片广泛应用于各种LED、蓝光激光二极管、紫外(UV)激光二极管(LD)以及在高功率和高频率下工作的电子设备。