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10x10x0.5mm, 5x5x0.5mm,
D50.8x0.5mm, D76.2x0.5mm
GaSb晶体的化学特性：
锑化镓 (GaAs) 可用作异质结构外延生长的衬底材料，而异质结构在光电领域具有广泛的应用。GaSb 的晶格常数与各种三元、四元和 III-V 族化合物固溶体（带隙范围为 0.8 至 4.3 μm）匹配良好，使其成为红外光纤传输的良好衬底材料。 GaSb 具有比 GaAs 更高的晶格限制迁移率，预计在微波领域拥有良好的应用前景。
杭州煦和光电技术有限公司可根据客户需求提供定制 GaSb 晶体和衬底，最大直径可达 3 英寸。我们提供三种类型的 GaSb 材料：无掺杂、锌 (Zn) 掺杂和碲 (Te) 掺杂的 GaSb。所有衬底均经过严格测试，并采用 1000 级洁净室和 100 级包装袋进行包装。