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锗(Ge)晶体和基板

  • 高纯度,良好的表面粗糙度 (Ra) ≤5Å(5µm×5µm)
  • 高化学稳定性,良好的光电性能
  • 适用于 III-V 族化合物的外延生长或层转移
  • 可提供用于红外应用的 锗透镜微米窗口
  • 多种掺杂选项:无掺杂 (R>35Ωcm)、Sb 掺杂 (R=0.05Ωcm) 或 Ga 掺杂 (R0.05~0.1Ωcm)
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规格:

方向 <100>, <110>, <111>±0.5º 尺寸(mm) 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20
直径 2 英寸 x 0.33 毫米 直径 2 英寸 x 0.43 毫米 15 x 15 毫米
厚度 0.5 毫米, 1.0 毫米 抛光 SSP(单面抛光)或
DSP(双面抛光)
Ra ≤5Å(5µm×5µm)

 

基本特性:

生长方法 提拉法 晶体结构 M3
晶格常数 a=5.65754 Å 密度 5.323g/cm3
熔点 937.4℃
掺杂材料 无掺杂 Sb掺杂 Ga掺杂
类型 / N P
电阻率 >35Ωcm 0.05Ωcm 0.05~0.1Ωcm
EPD <4×103∕cm2 <4×103∕cm2 <4×103∕cm2

是一种稀有金属,具有许多独特的性质和优点,是一种半导体。我们先进的技术已成功生产出杂质含量极低的用于半导体的晶体锗。锗的优点包括耐腐蚀性强、化学稳定性高、易于加工、透光率高且均匀、折射率高、抗辐射性强以及光电性能优异。锗或锗衬底是III-V族化合物外延生长和层转移的绝佳替代品。由于晶格常数相似,锗衬底可用于制作砷化镓太阳能电池。

锗比砷化镓 (GaAs) 价格更低,机械强度更高。因此,锗衬底可以减薄,电池可以做得更大,从而降低空间阵列的重量和成本。锗衬底常用于制造半导体器件、红外光学器件和太阳能电池衬底。

杭州煦和光电提供精确“切割”到适当方向的晶圆,并采用千级洁净室和百级包装袋进行洁净封装。