磷化铟（InP）晶圆和基板

高电子迁移率、良好的辐射稳定性和较大的带隙
表面粗糙度 (Ra) ≤5Å
用于铟镓砷外延生长
在高功率和高频电子器件中性能卓越
可选 S/Fe/Zn 掺杂
应用领域：光纤通信、微波、毫米波 (MMV)、抗辐射太阳能电池等

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规格：

材料	InP单晶	取向	<100>
尺寸(mm)	直径50.8×0.35mm,10×10×0.35mm 10×5×0.35mm	表面粗糙度	Ra:≤5A
抛光	SSP (单面抛光) 或 DSP (双面抛光)

InP晶体的化学性质：

单晶	掺杂	导电类型	载流子浓度	迁移率	位错密度	标准尺寸
InP	/	N	(0.4-2)×10¹⁶	(3.5-4) ×10³	5×10⁴	Φ2英寸×0.35毫米 Φ3英寸×0.35毫米
磷化铟	硅	氮	(0.8-3) ×10¹⁸ (4-6) ×10¹⁸	(2.0-2.4) ×10³ (1.3-1.6) ×10³	3×10⁴ 2×10³	Φ2英寸×0.35毫米 Φ3英寸×0.35毫米
磷化铟	锌	磷	(0.6-2) ×10¹⁸	70-90	2×10⁴	Φ2英寸×0.35毫米 Φ3英寸×0.35毫米
磷化铟	铁	氮	10⁷-10⁸	≥2000	3×10⁴	Φ2"×0.35mm Φ3"×0.35mm

基本属性：

晶体结构	四面体(M4)	晶格常数	a = 5.869 Å
密度	4.81g/cm³	熔点	1062 °C
摩尔质量	145.792 g/mol	外观	黑色立方晶体
化学稳定性	微溶于酸	电子迁移率(@300K)	5400 cm²/(V·s)
带隙(@300 K)	1.344eV	热电导率(@300K)	0.68 W/(cm·K)
折射率	3.55(@632.8nm)

磷化铟 (InP) 是一种重要的 III-V 族化合物和半导体材料，具有高电子迁移率、良好的辐射稳定性和较大的带隙。它具有面心立方（“闪锌矿”）晶体结构，与砷化镓 (GaAs) 和大多数 III-V 族半导体的结构相同。InP 可用作外延铟镓砷基光电器件的衬底。InP 具有稳定的物理和化学性质，在光纤通信、微波、毫米波 (MMV)、抗辐射太阳能电池等领域有着广泛的用途。

磷化铟 (InP) 还因其优异的电子速度而被用于高功率和高频电子器件（高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管）。它与砷化铟镓一起使用，制成了破纪录的赝晶异质结双极晶体管，工作频率可达 604 GHz。

杭州煦和光电技术有限公司可根据客户要求提供定制砷化铟衬底和晶圆，表面粗糙度良好，小于 0.5nm，并采用 1000 级洁净室和 100 级包装袋进行封装。