Nb:SrTiO3晶体和基底

不同Nb掺杂浓度下电阻率不同
晶体结构与SrTiO3相似
最大直径：Ф2.5″
洁净包装：1000级洁净室和100级包装袋
Nb的典型取向：SrTiO3基底：<100>、<110>和<111>
Nb掺杂浓度（wt%）：0.1-1.0

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规格：

尺寸	10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, Ф15, Ф20, Ф1″, Ф2″, Ф2.6″	厚度	0.5mm, 1.0mm
抛光	单面或双面抛光	晶体取向	<100> <110> <111>
重定向精度	±0.5°	边缘重定向	2°（特殊精度1°）
备注	可根据要求提供特殊尺寸和方向	Ra	≤5Å(5µm×5µm)

基本特性：

Nb:SrTiO3	A	B	C	D
铌含量 (wt%)	1.0	0.7	0.4	0.1
电阻率 Ohm-cm	0.0035	0.0070	0.05	0.08
迁移速率 cm²/vs	9.0	8.5	8.5	6.5
特性	Nb:SrTiO3 的结构与 SrTiO3 相似，但前者具有导电性。

铌 (Nb) 掺杂的 SrTiO3 (NSTO) 单晶具有与 SrTiO3 相似的结构。NSTO 晶体的电阻率随 Nb 掺杂浓度的不同而不同。