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SGGG(替代GGG)单晶和晶片

  • 低光学损耗(<0.1%/cm)以及优异的化学和机械性能
  • 高热导率(7.4W m-1 K-1)和高激光损伤阈值(>1GW/cm2)
  • 最大直径:4英寸;典型厚度:0.5/1.0毫米
  • 洁净封装:1000级洁净室和100级包装袋
  • SGGG衬底的典型取向:<111>
  • 应用:液相外延(LPE)、磁光薄膜、YIG和BIG薄膜外延生长
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规格:

材质 SGGG 单晶 取向 <111>
取向误差 ±0.2° 最大直径 4 英寸
典型厚度 0.5 毫米,1.0 毫米 厚度公差 ±0.05 毫米
尺寸公差 ±0.1mm 表面光洁度 SSP 或 DSP
粗糙度 ≤1nm 洁净度与封装 1000 级洁净室,100 级包装袋


材料特性:

材料 SGGG 化学式 /
晶格常数 12.497Å 生长方法 提拉法
密度 7.09g/cm3 莫氏硬度 7.5
熔点 1730℃ 折射率 1.954@1064nm

GGG、SGGG 和 NGG 石榴石可用作液相外延 (LPE) 的衬底。GGG 衬底是专为生长磁光薄膜而定向生长的衬底。GGG 衬底常用于生长磁场中的 YIG 或 BIG 薄膜,这些薄膜是光通信中工作在 1.3-1.5μm 波段的红外隔离器不可或缺的一部分。不同切向的 GGG 单晶衬底可以与磁光材料实现最佳晶格匹配,从而确保 YIG 和 BIG 薄膜外延生长成功。SGGG 单晶非常适合生长铋取代铁石榴石外延薄膜。