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基本属性：
半导体硅片通常由高纯度多晶硅锭制成，采用直拉法（CZ）生长不同电阻率的硅单晶锭，或采用区熔法（Float Zone）生产。硅片的生产过程遵循受控且有序的流程，包括：晶体生长、切片、倒角/研磨（研磨）、表面蚀刻/抛光、清洗、检测、封装等工序。
可以将设计浓度的掺杂引入硅晶格，以改变其电学特性，并形成半导体器件所需的特定导电性区域（n型或p型）。硅晶片也是沉积各种薄膜以实现特定功能的绝佳平台。
杭州煦和光电技术有限公司提供各种等级的硅 (Si) 晶片和基板，它们可用作 GaN（氮化镓）外延薄膜生长、半导体和太阳能电池的基板。