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  • 碳化硅(SiC)晶体和晶片
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碳化硅(SiC)晶体和晶片

  • 宽带隙,比硅宽数倍
  • 高热导率,低热膨胀
  • 高电场击穿电压,高最大电流密度
  • 应用:高频电力电子器件,恶劣环境下的LED固态照明
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规格:

尺寸 10x3, 10x5, 10x10,
15x15, 20x15, 20x20
直径2英寸 x 0.33毫米, 直径2英寸 x 0.43毫米, 直径4英寸 x 0.35毫米
厚度 0.5毫米, 1.0毫米 抛光 单面或双面抛光
晶体取向 <001>±0.5° R\Redirection 精度 ±0.5°
Redirection 边缘 2°(特殊精度 1°) 备注 可根据要求提供特殊尺寸和取向
Ra: ≤5Å(5µm×5µm)

 

基本特性:

生长方法 MOCVD 晶体结构 M6
晶胞常数 a=3.08 Å     c=15.08 Å  序列 ABCACB
方向 <0001> 3.5° 带间隙 2.93 eV
硬度 9.2(莫氏硬度) 300K 时的热传导 5 W/ cm.k
介电常数 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33

碳化硅 (SiC) 单晶 是一种化学成分为硅和碳的半导体。其卓越的导热性、优异的机械韧性、宽禁带和强大的电场击穿强度,吸引了人们对 SiC 作为半导体材料的应用兴趣。SiC 晶圆和基板具有优异的硬度和轻质特性,可作为生产高功率、高频电子元件的坚固平台。与传统的硅器件相比,SiC 基功率器件由于其耐高温性能,拥有更快的开关速度、更高的电压、更低的寄生电阻、更紧凑的尺寸和更低的冷却需求。其主要应用领域为高频电力电子器件(肖特基二极管、MOSFET、JFET、BJT、PIN二极管、IGBT)、射频晶体管、光电器件(应用于蓝光LED的背衬材料)。

杭州煦和光电科技有限公司提供定制碳化硅晶体晶片,该晶片在LED固态照明和高频器件,以及航空航天、军工和核能等极端环境应用中,可提供最佳效果。