300-900nm 绝缘体上钽酸锂 (LTOI)

绝缘体上钽酸锂 (LTOI) 代表了集成光子学和电子学领域的前沿平台，它将钽酸锂 (LiTaO3) 的独特性能与绝缘衬底的可扩展性和兼容性完美融合。钽酸锂晶体属于三方晶系，3m 点群，r3c 空间群。由于其晶格结构各向异性，不同的取向具有不同的应用领域。例如，在射频（RF）前端器件领域，钽酸锂晶片的取向主要包括38度y-x切割、42度y-x切割、50度y-x切割等。在热释电领域，钽酸锂晶片最普遍的取向是z-切割。

钽酸锂（LiTaO3）以其卓越的非线性光学、压电和非线性光学特性而闻名。利用这些固有特性，LTOI能够将基于LiTaO3的器件集成到硅光子学平台中。其高电光系数有利于高效调制光信号，这对于高速数据通信设备至关重要。薄膜钽酸锂比LNOI具有更高的激光诱导损伤阈值和光折变损伤阈值。这些优异的特性使绝缘体上钽酸锂 (LTOI) 成为高功率和短波长（低至紫外）集成光子器件的有前景的材料平台。

LTOI 具有优异的压电特性，能够高效地将机械能转化为电能，使其成为高性能射频滤波器、移动电话和无线通信领域极具吸引力的候选材料。将钽酸锂与硅基衬底集成，制备硅基钽酸锂压电薄膜（绝缘体上钽酸锂，LTOI），将为制造高 q 值、低 tcf、优异的 Fs 稳定性（Ke^2>10%）、优异的热导率和低生产成本的射频滤波器开辟一条新途径。此外，LiTaO3 薄膜还有望促进更高声速 SAW 模式的利用，有助于提高滤波器的工作频率，对满足 5G 技术带来的频谱扩展需求具有重要意义。

杭州煦和光电提供定制 绝缘体上钽酸锂  (LTOI) ，其由 硅衬底上的 LiTaO3 薄膜 组成。提供多种切割方向，LiTaO3 功能层厚度为 300-900nm，并可选配 SiO2 绝缘层。