氧化锌（ZnO）晶体及基板

单面或双面抛光可选
良好的物理和化学稳定性
宽带隙
可提供定制衬底和晶圆
应用：宽带隙半导体薄层生长、GaN薄膜生长、半导体光电子器件、磁性半导体、蓝紫光电子应用

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规格：

材质	ZnO单晶	尺寸(mm)	25×25×0.5, 10×10×0.5, 10×5×0.5, 5×5×0.5
取向	<0001>, <11-20>, <10-10>±0.5°	抛光	单面或双面抛光 (SSP 或DSP)
透明度范围	0.4-0.6 µm; > 50%@2µm	表面粗糙度	Ra: ≦0.5nm

注：可提供定制特殊取向和尺寸的衬底。

基本属性：

晶体结构	M6	晶格常数	a=3.252Å c=5.313 Å
密度	ε=5.7	硬度	4(莫氏)
熔点(℃)	1975	热膨胀系数	a /6.5 x 10^-6 /℃ c /3.7 x 10^-6 /℃
比热容(克/立方米)	0.125 卡	热电常数	1200 mv/k @ 300 ℃
热导率(cm/k)	0.006 cal	化学稳定性	不溶于水

氧化锌 (ZnO) 晶体衬底是一种宽带隙半导体材料。作为单晶半导体，其带隙在 3.4 eV 范围内，这使其在各种蓝光和紫光光电应用以及紫外器件中都具有吸引力。大尺寸 ZnO 晶体的可用性也使其比 GaN 更具竞争优势。ZnO 衬底在氮化镓 (GaN) 薄膜生长中表现出显著优势。与 GaN 类似，ZnO 具有纤锌矿结构，晶格常数与 GaN 非常匹配（a=3.249，c=5.205）。ZnO 和 GaN 之间的晶格失配度仅为 ε=0.017。或许最重要的特性是它是一种柔软的柔性材料，据信它会优先于生长的 GaN 薄膜吸收晶格应力。然而，ZnO 的缺点是它在高于 600°C 的温度下会在氨中分解。

杭州煦和提供定制的高品质 ZnO 晶体基板和晶片。