磷化铟（InP）是一种重要的III-V族化合物和半导体材料，具有高电子迁移率、良好的辐射稳定性和较大的带隙等优点。它具有面心立方（“闪锌矿”）晶体结构，与GaAs和大多数III-V族半导体的结构相同。InP具有稳定的物理和化学性质，广泛应用于光纤通信、微波、毫米波（MMV）、抗辐射太阳能电池等领域。 InP 也用作外延铟镓砷基光电器件的衬底。
磷化铟 (InP) 也用于高功率和高频电子器件（高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管），因为它的电子速度比更常见的半导体硅和砷化镓更高。它与铟镓砷一起用于制造破纪录的赝晶异质结双极晶体管，其工作频率可达 604 GHz。此外，当今用于聚光光伏 (CPV) 和空间应用的最先进的高效太阳能电池使用 (Ga)InP 和其他 III-V 族化合物来实现所需的带隙组合。
磷化铟在两种应用中具有特殊优势：
光子学：波长超过 1,000nm 的发射和检测能力。
射频：高频射频应用中的高速和低噪声性能。 InP 是通信、雷达、测试设备和辐射测量等性能驱动型利基市场的首选。
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