砷化镓（GaAs）是由镓和砷元素组成的化合物，属于III-V族直接带隙半导体，具有锌闪烁晶体结构。
砷化镓广泛应用于制造微波频率集成电路、单片微波集成电路、红外发光二极管、激光二极管、太阳能电池和光学窗口等设备。GaAs常被用作其他III-V族半导体的外延生长基底材料，包括铟镓砷、铝镓砷等。此类基底在高频、高温、低温、低噪声和高辐射容忍度下表现出色。
杭州煦和光电提供定制的GaAs晶圆和基底，适用于外延生长、微波、红外LED、激光二极管、太阳能电池以及红外光学窗口等应用。