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锗基板和晶片

  • 高纯度,低表面粗糙度 (Ra) ≤5Å (5µm×5µm)
  • 高化学稳定性,光电性能优异
  • 适用于 III-V 族化合物的外延生长或层级转移
  • 可提供用于红外应用的 锗透镜微米窗口
  • 多种掺杂选项:无掺杂 (R>35Ωcm)、Sb 掺杂 (R=0.05Ωcm) 或 Ga 掺杂 (R0.05~0.1Ωcm)
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锗 (Ge) 是一种稀有金属和半导体材料,具有许多独特的性质和优点。锗的优点包括耐化学性强、易于加工、高且均匀的透射率、高折射率、高抗辐射性以及良好的光电性能。锗或锗衬底是 III-V 族化合物外延生长和层转移的理想替代品。由于热性能和晶格常数匹配度高,锗衬底可用于制造砷化镓太阳能电池。

锗衬底非常适合制造半导体、红外光学器件和太阳能电池。与硅相比,锗具有更高的本征载流子浓度,因此非常适合需要高速传输的应用。锗比砷化镓 (GaAs) 价格更低,机械强度更高,因此锗衬底可以具有更大的长厚比,从而降低重量和成本。

杭州煦和光电提供锗晶体、晶片和衬底,这些材料均按照适当的方向精确“切割”,并采用 1000 级洁净室和 100 级包装袋进行包装。

锗(Ge)晶体和基板

锗(Ge)晶体和基板