碳化硅 (SiC) 是一种含有硅和碳的半导体。SiC 具有良好的热导率和强大的电场穿透能量，目前其作为电子半导体材料的应用备受关注。SiC 的高热导率、高电场击穿强度和高最大电流密度使其在高功率器件中比硅更有前景。SiC 还具有极低的热膨胀系数（4.0 × 10-6 /K），并且不会发生会导致热膨胀不连续性的相变。其主要应用领域是高频电力电子器件（肖特基二极管、MOSFET、JFET、BJT、PIN 二极管、IGBT）和光电器件（广泛用于蓝光 LED 的衬底材料）。
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