氧化锌 (ZnO) 有望成为氮化镓 (GaN) 的首选衬底材料。与 GaN 类似，ZnO 也具有纤锌矿结构，晶格常数与 GaN 非常接近（a=3.249，c=5.205）。ZnO 与 GaN 之间的晶格失配度仅为 ε=0.017。或许最重要的是，ZnO 是一种柔软的柔性材料，据信它能够优先于生长中的 GaN 层吸收晶格应力。但它的缺点是，在高于 600°C 的氨水中会分解。
氧化锌 (ZnO) 具有宽带隙，ZnO 晶体具有良好的晶格完整性，这对于制造高质量的 ZnO 基半导体器件至关重要。 ZnO晶片广泛应用于高效半导体光催化、半导体光电器件和磁性半导体。
杭州煦和光电可根据客户的特殊要求定制高质量的ZnO晶体基板和晶片。