砷化铟（InAs）单晶广泛用作异质结材料（InAsSb/In－AsPSb、InNAsSb）的衬底材料，用于制作2～14μm红外发射器件。砷化铟（InAs）也可作为外延生长中波红外量子级联激光器（QCL）用AlGaSb超晶格结构材料的衬底材料。InAs广泛应用于气体监测、低损耗光纤通信等领域。由于其迁移率高，是制作霍尔半导体的理想材料。作为单晶衬底，砷化铟必须具有较低的位错密度、良好的晶格完整性、合适的电学参数和较高的均匀性。该材料的主要生长方法是经典的液相封装提拉法（LEC）。
杭州煦和光电可根据客户要求提供定制的砷化铟衬底和晶圆，具有小于0.5nm的良好表面粗糙度以及1000级洁净室和100级包装袋的洁净封装。