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BBO 普克尔盒(库存清单)

  • ​​高重复率和抗损伤性​​
  • ​​低吸收和声学噪声​​
  • ​​高紫外线透射率​​
  • ​​双晶体普克尔盒可用​​
  • ​​应用:高重复率 DPSS Q 开关、高重复率再生放大器控制、腔倾倒和光束斩波器
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Code Types Wavelength Dimension Aperture Extinction Ratio Laser Damage Threshold Unit Price Delivery 询价
2035-001 Double-crystal 410-3500nm Ф25.4×67mm 1.8mm >500:1 >500MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-003 Single-crystal 410-3500nm Ф25.4×39mm 1.8mm >1000:1 >500MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-004 Double-crystal 410-3500nm Ф25.4×67mm 2.5mm >500:1 >500MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-005 Single-crystal 410-3500nm Ф25.4×39mm 2.5mm >1000:1 >500MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-014 Single-crystal Custom Ф25.4x36mm 2.5mm >3000:1 500MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-006 Single-crystal Custom Ф25.4×35mm 2.6mm >1000:1 750MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-007 Single-crystal Custom Ф25.4×40mm 2.6mm >1000:1 750MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-008 Double-crystal 410-3500nm Ф25.4×67mm 3.6mm >500:1 >500MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-009 Single-crystal 410-3500nm Ф25.4x39mm 3.6mm >1000:1 >500MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-010 Single-crystal Custom Ф25.4×35mm 3.6mm >1000:1 750MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-011 Single-crystal Custom Ф25.4×40mm 3.6mm >1000:1 750MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-012 Single-crystal Custom Ф25.4×35mm 4.6mm >1000:1 750MW/cm^2 Inquire Inquire
2035-013 Single-crystal Custom Ф25.4×40mm 4.6mm >1000:1 750MW/cm^2 Inquire Inquire

β-BBO 普克尔斯盒或 β-硼酸钡普克尔斯盒在激光功率处理能力、耐高温性和基本不受压电振铃影响方面比其他材料具有显著优势。β-BBO 普克尔斯盒是高重复频率 Q 开关、高达 3 MHz 的脉冲拾取、激光腔倾卸、再生放大器控制和光束斩波器最具吸引力的候选者。在高重复频率和高功率应用领域,BBO 普克尔斯盒是比 KDP 普克尔斯盒更好的选择。由于我们在普克尔斯盒中采用的顶级 BBO 晶体具有较低的压电耦合系数,我们的 BBO 普克尔斯盒能够产生重复频率高达数百千赫兹的脉冲。

杭州煦和光电技术有限公司提供现货供应和定制的BBO普克尔盒,它们具有高损伤阈值、低插入损耗、高消光比、最小压电振铃和极具竞争力的价格。我们可根据要求提供单、双BBO晶体设计和低压几何结构的BBO普克尔盒。此外,我们还提供用于光电应用的BBO晶体。

点击此处访问我们的档案库,了解更多关于普克尔盒的信息。

 


特点:

BBO普克尔斯盒是高重复频率Q开关的最佳选择:

由于BBO普克尔斯盒依赖于电光效应,加上电光Q开关的低电容特性,开关时间非常快,因此在高达1MHz的高重复频率激光器中具有卓越的性能。采用BBO电光Q开关的全固态短腔Q开关激光器可以产生脉冲宽度小于4ns的高能量激光。

高损伤阈值和功率处理能力:


BBO电光Q开关无需水冷即可关闭,并可承受高达150W的腔内振荡光功率(激光输出功率高达50W)。

从紫外到近红外的宽透射范围:

BBO晶体具有189nm至3500nm的宽透射范围,使其适用于从紫外到近红外光谱的各种应用。

低吸收率,无压电振铃:

 

与LiNbo3相比,偏硼酸钡(BBO)晶体在施加电压时受压电效应的损害要小得多。BBO电光器件的另一个重要特性是其低吸收率和相关的激光诱导热双折射。由于吸收率低,在可见光和近红外波段的工作波长下几乎不会产生光学加热。

相对较高的半波电压:

BBO具有相对较小的电光系数,因此工作电压较高。Shalom EO还提供符合您尺寸要求的定制BBO晶体。我们的工程师团队可以提供专业咨询,帮助您找到最符合您需求的解决方案。

 


注意事项:

  • BBO晶体具有吸湿性,建议在干燥环境中保存和使用。
  • 由于BBO晶体相对脆弱,因此需要采取预防措施保护其抛光表面。
  • BBO的接收角较小,因此在调整角度时要小心。
  • 杭州沙龙光电工程师可以根据您的激光器特性,为您提供最合适、最优质的普克尔斯盒。我们考虑的参数包括脉冲宽度、单脉冲能量、脉冲激光器的重复频率、连续激光器的功率、发散角、激光光束直径、波长调谐范围、模式条件等。

BBO 普克尔斯盒规格

孔径待定四分之一波电压3.4KV
光透射率>98%损伤阈值500MW/cm2 @ 10ns, 1064nm
波前畸变 @ 1064< Lambda/8典型电容< 3pF
外形尺寸φ25.4 x 44mm


BBO的物理特性:

晶体结构三方晶系,空间群R3c,点群3m晶胞参数a = b = 12.532 Å, c = 12.717Å, Z = 6
熔点1095±5℃相变点925±5℃
光学均匀性δn ~ 10-6 /cm莫氏硬度4
密度3.85 g/cm3比热1.91J/cm3 xK
吸湿性热膨胀系数a,4 x 10-6/K;c, 36x 10-6/K
热导率⊥c,1.2W/m/K; //c, 1.6W/m/K吸收系数< 0.1% /cm(1064 nm 处)


BBO 的光学特性:

透明度范围189-3500 nm折射率
1064 nm 处
800 nm 处
532 nm 处
400 nm 处
266 nm 处

no = 1.6545, ne = 1.5392
no = 1.6606, ne = 1.5444
no = 1.6742, ne = 1.5547
no = 1.6930, ne = 1.5679
no = 1.7585, ne = 1.6126
热光系数dno/dT = -9.3 x 10-6 /°C
dne/dT = -16.6 x 10-6 /°C
电光系数γ11 = 2.7 pm/V, γ22, γ31 < 0.1 γ11
有效非线性表达式dooe= d31 sinθ +(d11 cos3φ - d22 sin3φ) cosθ
deoe= (d11 sin3φ + d22 cos3φ) cos2θ
半波电压48 kV (at 1064 nm)
NLO 系数d11 = 5.8 x d36(KDP)
d31 = 0.05 x d11
d22 < 0.05 x d11
损伤阈值(体)
1064 nm 处
532 nm 处

5 GW/cm2 (10 ns);10 GW/cm2 (1.3 ns)
1 GW/cm2 (10 ns);7 GW/cm2 (250 ps)
相位匹配 SH 波长:189 - 1750 nm


                                                                                       

                                                                                                                    图 2 BBO 晶体的透明度曲线



应用说明:

在普克尔盒的实际应用中,可能需要考虑一些额外的副作用:

  • 如果光束方向垂直于晶体表面,即使晶体端面镀有高质量的增透膜,标准具效应仍可能存在并影响光学性能。
  • 温度会显著影响获得的相变。例如,当温度变化时,一组用于产生完美高对比度幅度调制的普克尔盒可能需要重新调整工作电压。然而,热补偿双晶设计可以解决这个问题。
  • 对于光束半径较大的操作,值得注意的是对电极进行优化设计(可能使用额外的辅助电极来提高产生的电场的均匀性,否则可能会获得空间变化的调制)。
  • 非线性晶体通常表现出显着的压电和电光效应,这会对高调制频率下的性能产生重大影响。
  • 在高功率水平下工作时,晶体的残余吸收可能会引起热效应。因此,对于高功率应用,吸收率较低的材料更受欢迎
  • 普克尔盒中使用的晶体是非线性晶体材料,它们本身就表现出显著的光学非线性。例如,对于峰值功率较大的光脉冲,可能会发生自相位调制和非线性自聚焦。



四分之一波长电压的计算

产生π弧度延迟所需的电压称为半波电压,或简称为Vπ。对于45度线偏振光输入,施加半波电压会使偏振方向旋转90度。当输出波通过线性时,通过将施加到晶体的电压从 0 伏快速改变到 Vπ,可以将合成波从最大强度快速调制到最小强度。

BBO 的半波电压取决于光波长,其公式如下:

其中 λ=光波长
         d=电极间距 
         L=光路长度 
         r22=电光系数 
         no=普通折射率

 


电光Q开关1/4波电压与波长 (3x3x20mm) 
1/4波电压@1030nm : Vπ/2 =3388V


普克尔斯盒对比图:

普克尔斯盒比较

Aperture 2.5mm single-crystal BBO Pockels Cells

Aperture 2.5mm single-crystal BBO Pockels Cells

Aperture 3.6mm single-crystal BBO Pockels Cells

Aperture 3.6mm single-crystal BBO Pockels Cells

Aperture 3.6mm single-crystal BBO Pockels Cells

Aperture 3.6mm single-crystal BBO Pockels Cells