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用于光电应用的 LiNbO3 晶体

  • 现成和定制晶体
  • 低半波电压
  • 高电光系数
  • 激光级抛光、增透膜和铬金电极
  • 用于低放大倍数激光器的布儒斯特角切割铌酸锂晶体
  • 应用:电光普克尔斯盒、Q开关和相位调制器
  • MgO:铌酸锂晶体用于电光应用非线性铌酸锂和MgO:铌酸锂,SAW LiNbO3 晶片光学级 LiNbO3 晶体晶片以及MgO:PPLN 晶体也可供选购


定制产品咨询  
Code Material Size Orientation Coating Unit Price Delivery 询价
2043-001 LiNbO3 9x9x18.8mm Z-cut AR/AR@1064nm Cr+Au electrode $365 2-3 Days 询价
2043-002 LiNbO3 9x9x25mm Z-cut AR/AR@1064nm Cr+Au electrode $365 2-3 Days 询价
2043-003 LiNbO3 10x10x20mm Z-cut AR/AR@1064nm Cr+Au electrode $365 2-3 Days 询价

铌酸锂 (LiNbO3) 晶体 表现出多种光电效应,包括压电效应、电光效应、非线性效应、光折变效应、光伏效应和光弹效应、声光效应和其他光电特性,为此,LiNbO3 已被用于各种应用,例如表面声波 (SAW) 滤波器、电光 (EO) 普克尔斯盒、相位调制器、光调制器、光隔离器、光参量振荡器 (OPO)、差频发生器 (DFG)、二次谐波发生器 (SHG) 等。

铌酸锂晶体 (LiNbO3) 具有稳定的物理和化学性质,易于加工。铌酸锂晶体具有较宽的透光范围(0.3-5μm)和较大的电光系数,使其具有低半波电压和零残余双折射等优点,是电光普克尔盒、光调制器和相位调制器最常用的材料之一。然而,铌酸锂(LiNbO3)晶体存在损伤阈值较低的缺点,因此LiNbO3普克尔盒和调制器更适用于中低功率激光器。通过在 LiNbO3 中掺杂 MgO 可以提高损伤阈值,MgO:LiNbO3 具有更高的损伤阈值,可以用于高功率激光器。

杭州煦和光电 提供现成的和定制的 LiNbO3 晶体和 MgO:LiNbO3 晶体,用于普克尔斯盒和光调制器的 EO 应用,每片 LiNbO3 晶体都经过严格的监督和质量控制,可根据要求提供 AR 镀膜和 Cr-Au 电极。一系列铌酸锂产品包括SAW LiNbO3 晶片非线性 LiNbO3 和 MgO:LiNbO3用于光电应用的 MgO:LiNbO3 晶体、光学级LiNbO3 晶片MgO:PPLN 晶体、LiNbO3 普克尔盒也可采购。


 

常见规格:

晶体材料 铌酸锂晶体 尺寸 定制
尺寸公差 +/-0.1毫米 长度公差 +/-0.2毫米
表面质量 20/10 S/D 平行度 <20 角秒
平整度 < Lambda/10 @633nm 倒角 0.1-0.3mmx45°
芯片 <0.15mm 侧面 精磨
方向公差 < 10 弧分 波前畸变 <Lambda/4@633nm
消光比 >200:1 镀膜 AR/AR@1064nm 或 定制
损伤阈值 >100mW/cm^2@1064nm 10nS 10Hz 脉冲 电极位于侧面 铬金电极 (Cr+Au)

 

基本性质:

晶体结构 三方晶系,空间群 R3c 晶胞参数 a = 5.15 Ang, c = 13.863 Ang.,  Z = 6
熔点 1255±5℃ 居里点 1140±5℃
莫氏硬度 5 密度 4.64 g/cm3
吸收系数 ~ 0.1%/cm @ 1064nm 溶解度 不溶于水
相对介电常数 eT11/e0: 85
eT33/e0: 29.5 热膨胀系数(@ 25℃) ||a, 14.1 x 10-6 /K ||c, 4.1 x 10-6 /K
热导率 38 W /m /K @ 25℃

 

线性光学特性:

透明度范围 420-5200nm 光学均匀性 ~ 5 x 10-5 /cm
折射率 ne=2.146, no = 2.220 @ 1300nm
ne= 2.156, no = 2.232 @ 1064nm
ne= 2.203, no = 2.286 @ 632.8nm
Sellmeier方程
(λ 单位为毫米)
n2o (l) = 4.9048+0.11768/(l2 - 0.04750) - 0.027169l2
n2e (l) = 4.5820+0.099169/(l2 - 0.04443) - 0.021950l2

 

非线性光学特性:

非线性光学系数 d33 = 34.4 pm/V
d31 = d15 = 5.95 pm/V
d22 = 3.07 pm/V
效率非线性光学系数 deff =5.7 pm/V 或 ~14.6 x d36 (KDP)
用于 1300nm 倍频
deff =5.3 pm/V 或 ~13.6 x d36(KDP)
用于 1064nm 泵浦的 OPO
deff =17.6 pm/V 或 ~45 x d36(KDP)
适用于准相位匹配结构
电光系数 gT33 = 32 pm/V,gS33 = 31 pm/V
gT31 = 10 pm/V,gS31=8.6 pm/V
gT22 = 6.8 pm/V,gS22= 3.4 pm/V
半波电压,直流
电场||z,光 ^z
电场||x 或 y,光||z
3.03千伏
4.02千伏

具有布儒斯特角的 LiNbO3 晶体:

LiNbO3 Z-Cut, 9x9x18.8mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

LiNbO3 Z-Cut, 9x9x18.8mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

LiNbO3 Z-Cut, 10x10x20mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

LiNbO3 Z-Cut, 10x10x20mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

LiNbO3 Z-Cut, 9x9x25mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

LiNbO3 Z-Cut, 9x9x25mm, Rectangular, Au electroded for EO applications