周期性极化铌酸锂 (PPLN) 晶体是一种非线性光学晶体，具有卓越的高转换效率和 0.4-5μm 的宽透明光谱。PPLN 晶体的周期畴结构是通过高压电场反转晶体偶极矩来实现的。MgO 掺杂剂的引入是通过受控热扩散或离子注入实现的，以确保其在晶格内的均匀分布。在 LiNbO3 中掺杂 5% 的 MgO 可以显著提高 PPLN 的损伤阈值，并拓宽其相位匹配带宽。 MgO: PPLN晶体表现出独特的准相位匹配（QPM）现象，允许使用比双折射相位匹配更高的非线性系数（对于LiNbO3，双折射相位匹配常采用系数d31=4.35 pm/V，而QPM常采用更高的d33=27 pm/V，考虑其他影响因素后结果为17 pm/V。在无法获得高光强的情况下，使用d33具有相当大的优势）。QPM的其他重要优点还包括方便的温度环境、没有空间走离以及降低光折变问题的可能性。通过对晶体畴结构的精确设计，PPLN 非常适合各种非线性相互作用，例如二次谐波产生 (SHG)、和频产生 (SFG) 等。
光波导是一种用于引导光的非均匀结构，即用于限制光传播的空间区域。PPLN 晶体可以与波导结构结合，以增强转换过程。杭州煦和光电技术有限公司 (Shalom EO) 提供 MgO:PPLN 块体晶体芯片和 MgO:PPLN 波导。一般而言，PPLN 块体晶体芯片易于处理，且可承受更高的功率水平（瓦特）；而PPLN 波导的转换效率更高，但在光耦合方面面临更大的挑战。
镁掺杂的 PPLN 因其较高的有效非线性系数而在创新激光应用中展现出优异的性能，能够高效地跨多种机制进行频率转换。杭州煦和光电技术有限公司提供一系列标准和定制的 MgO:PPLN 晶体芯片和 MgO:PPLN 波导。标准输入波长包括 976nm、1029nm、1064nm、1545nm、1550nm、1560nm、2100nm 等，输出波长覆盖从可见光到中红外光谱区域，同时还提供其他定制波长。我们配备了生产 PPLN 晶体的尖端技术设备。在制造过程中，使用掩模在晶圆上定义电极图案，并在光刻工艺后沉积金属。施加高压电场将在定义区域内切换锂离子和铌酸根离子的位置，形成周期性翻转的偶极子方向。完成整个电场极化过程后，将 LiNbO3 晶圆切割成微型芯片，然后以高精度控制进一步加工。我们的MgO:PPLN晶体和波导具有无与伦比的高转换效率、高损伤阈值、优异的光学透射率和热特性等优势，是各种频率转换过程的理想选择，包括上转换（SHG/SFG）和下转换（DFG/OPA/OPG/OPO），并且能够承受高功率强度。此外，Shalom EO公司还提供各种QPM结构。
规格：
化学和光学特性：
//a, 2.0x10-6/K
//c, 2.2x10-6/K
d33 = 34.4 pm/V
d31 = d15 = 5.95 pm/V
d22 = 3.07 pm/V