MgO:LiNbO3 晶体因其较高的电光系数 (EO) 而成为 Q 开关和相位调制器最常用的材料之一，并且其损伤阈值比无掺杂的 LiNbO3 晶体更高。通过在光传播方向上施加横向电场，LiNbO3 盒可配置为在比同类 KD*P 盒更低的电压下工作。对于波长长达 3.0 µm 的红外波段，LiNbO3 也是一个不错的选择。杭州煦和光电技术有限公司提供用于普克尔斯盒的抛光、增透膜和金铬电极 MgO:LiNbO3 晶体。