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闪烁探测阵列(与 Si PD 耦合)

  • 线性闪烁阵列 + 单晶硅光电二极管阵列 + 安装板
  • 元件尺寸宽度 1.4mm,高度 2.5nm,元件间距 1.575nm
  • 提供 16 个元件、64 个元件和 128 个元件的模块
  • 光谱范围宽 350-1100nm(响应度峰值在 950nm)
  • 多种闪烁体材料,包括 CsI(Tl)、GOS 陶瓷、CdWO4 或其他定制选择
  • 将高能量的 CsI(Tl) 探测器与低能量的 GOS 探测器组合使用,可实现双能量检测
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Code Element Pitch Number of Elements 询价
SA-PD16A-16-1.575 1.575mm 1x16
SA-PD6404A-16-1.575 1.575mm 1x16
SA-PD6404-16-2.5 2.5mm 1x16

本产品为线性闪烁探测阵列系列产品;所有模块均采用16、64甚至128个元件的前侧入射 (FSI) 单晶硅光电二极管作为光读出器件。这些探测器模块可靠性高,功能多样,适用于各种涉及无损X射线检测的应用(例如行李检查、门户安检、食品检测等)。此外,还可集成各种闪烁材料,例如CsI(Tl)、GOS陶瓷屏、CdWO4等。与PMT相比,光电二极管读出器具有成本低、电流线性度高、寿命长和量子效率高(也称为响应度)等优势。

Shalom EO的闪烁探测阵列具有超低暗电流、高响应速度、低终端电容等特点,其感光光谱覆盖范围广泛,从350nm到1100nm,峰值波长约为950nm。此外,该模块结构紧凑、重量轻,易于集成,最大反向电压仅为<10V;二极管元件的感光度均匀性极佳。

两种标准闪烁材料可供选择:CsI(Tl)闪烁探测器具有极高的光输出,适用于高能检测;GOS陶瓷闪烁探测器适用于低能检测;CdWO4闪烁探测器兼具高光输出和低余辉的优点,使其成为PD探测器的理想选择。每个阵列的闪烁像素由一个反射器隔开,该反射器采用多种选择性材料(例如 MgO2、TiO2、ESR、BaSO4 白色塑料、白色环氧树脂等)制成,以避免光学串扰。通过在上下两级组合一个高能探测器和一个低能探测器,可以获得双能 X 射线成像传感器。此外,将多个检测阵列排成一排时,可以形成长尺寸线探测器。

规格方面,元件尺寸为 1.4mm 宽 x 2.5mm 高;元件间距为 1.575mm,适用于紧凑型安全检查系统。CsI(Tl) 阵列安装在 25.4mm x 10.2mm 的电路板上,GOS 阵列安装在 25.4mm x 20mm 的电路板上。其他定制规格也可根据要求定制。

Shalom EO 还提供集成数据读出电子设备的版本

典型应用:

  • 无损 X 射线检查
  • 安全检查
  • 食品检验
  • 厚度测量
  • 工业过程控制
  • 矿物探测
  • 废物分类


GOS 闪烁屏的制造工艺和结构:

图 1. GOS 闪烁屏结构

  • GOS 闪烁屏制作:
  • 采用共沉淀法制备 Gd2O 和 Tb2O3 的混合粉末
  • 高温硫化烧结形成 Gd2O 颗粒
  • 在颗粒中加入粘合剂,将混合物压制成片状,与 PET 基底结合
  • 在光学前端铺一层保护层
  • 发射Gd2OS2:Tb 峰面积 550nm


GOS厚度 (μm)
DRZ-STD150
DRZ-STD280
DRZ-HIGH350

闪烁体特性:

材料GOS 陶瓷 (Gd2O2S:Pr)CsI (Tl)(碘化铯)
峰值发射波长512nm550nm
衰减时间3000ns1000ns
折射率2.21.79
余辉0.01% @20ms<1% @20ms
密度7.34 g/cm^34.51 g/cm^3
灵敏度不均匀性+/- 15%+/- 15%

 

工作条件:

反向电压 5V, 10V
温度工作0-60°C
储存和运输-20-70°C
湿度工作30-90%RH(无结露)
储存和运输40-95%RH(无结露)
大气压力操作、储存和运输700-1000mbar
1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

2.5mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

2.5mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI