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适用于光电应用的 DKDP 晶体

  • 高氘化率（>98.0%）DKDP 晶体
  • 宽波长范围：0.3~1.1μm
  • 最大孔径：50mm
  • 高透射率：>98%
  • Cr-Au 电极
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模块或类型：

我们可根据您的要求提供各种形状的晶体：

  1. 经检验抛光的晶体晶棒
  2. 经检验抛光的晶体毛坯
  3. 经激光级抛光的晶体
  4. 经AR涂层和Cr-Au电极的晶体

 

规格：

晶体材料 DKDP晶体 （氘化程度>98%） 典型直径 6mm; 8毫米; 10毫米; 12毫米; 15毫米
直径公差 +/-0.1毫米 长度公差 +/-0.2毫米
表面质量 20/10 S/D 平行度 <20 角秒
平整度 < Lambda/10 @633nm 倒角 0.1-0.3mmx45°
芯片 <0.15mm 精磨 <0.15mm
方向公差 < 10 弧分 波前畸变  <Lambda/8@633nm
消光比 >2000:1 镀膜 AR/AR@1064nm 或 定制
损伤阈值 >800mW/cm^2@1064nm 10nS 10Hz 脉冲 电极位于侧面 铬金电极 (Cr+Au)
四分之一波电压 ~3.4KV

 

物理和光学特性：

化学式 KD2P 居里温度 222K
对称性 42m 密度 2.355g/cm3
吸收率 0.005/cm 消光比 1:10000
氘气比 98.05%--99.05% 透过波段 200-1600nm
非线性系数 d36=0.40pm/v 纵半波电压 2.98KV(I=546nm)
电阻 >2x109Ω/cm 电光系数 r41=8.8pm/v,r63=25pm/v

KD*P 或 DKDP 晶体广泛应用于波长范围从 0.25µm 到约 1.1 µm 的调Q应用。如果氘含量较高，材料的吸收带边缘会进一步向红外方向移动。氘含量 >98% 的 KD*P 晶体可用于波长高达 1.3μm 的波段。KD*P 晶体生长时光学均匀性高，因此推荐用于大口径应用。

杭州沙龙光电提供高氘含量（>98%）的 DKDP 晶体，适用于 KD*P 普克尔斯盒应用，并可根据您的要求提供定制毛坯、抛光晶体、增透膜和铬金电极晶体组件。



用于AO应用的TeO2晶体

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  • 高品质因数 (M2=793 x 10^-18S^3/g) 
  • 高折射率 (no=2.274, ne=2.430@633nm) 
  • 大尺寸能力
  • 宽光学传输范围：350-5000nm
  • 应用：AOM（声光调制器）、AODF（声光偏转器）、AOTF（声光可调滤波器）、FCAOM 等。
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LiNbO3 Z-Cut, 9x9x25mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

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Code: 2043-002

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用于光电应用的MgO:LiNbO3晶体

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  • 低半波电压
  • 高电光系数
  • 低放大倍数激光器的布儒斯特角
  • 比无掺杂铌酸锂具有更高的损伤阈值
  • 适用于Er:YAG、Ho:YAG和Tm:YAG激光器
  • SAW铌酸锂晶片、非线性铌酸锂和MgO:铌酸锂、用于电光调制的铌酸锂晶体、光学级铌酸锂晶片以及MgO:PPLN晶体均可提供
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DKDP（KD*P）晶体

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  • 适用于多种应用：二次谐波 (SHG)、三次谐波 (THG)、四次谐波 (4HG) 和电光普克尔斯盒
  • 最大尺寸：100x100x60mm
  • 透射波长范围：200-2150nm
  • 提供DKDP毛坯和激光级抛光晶体
  • 严格的质量控制检验，确保产品质量
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Aperture 10mm 1064nm DKDP Pockels Cells

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Code: 2031-002

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