用于光电应用的MgO:LiNbO3晶体

低半波电压
高电光系数
低放大倍数激光器的布儒斯特角
比无掺杂铌酸锂具有更高的损伤阈值
适用于Er:YAG、Ho:YAG和Tm:YAG激光器
SAW铌酸锂晶片、非线性铌酸锂和MgO:铌酸锂、用于电光调制的铌酸锂晶体、光学级铌酸锂晶片以及MgO:PPLN晶体均可提供

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模块或类型：

我们可根据您的要求提供各种类型的晶体：

经检验抛光的晶体晶棒
经检验抛光的晶体毛坯
经激光级抛光的晶体
经AR涂层和Cr-Au电极的晶体

规格：

晶体材料	MgO(5mol%):LiNbO3晶体	尺寸	定制
尺寸公差	+/-0.1毫米	长度公差	+/-0.2毫米
表面质量	20/10 S/D	平行度	<20 角秒
平整度	< Lambda/10 @633nm	倒角	0.1-0.3mmx45°
芯片	<0.15mm	侧面	精磨
方向公差	< 10弧分	波前畸变	<Lambda/4@633nm
消光比	>200:1	镀膜	AR/AR@1064nm 或定制
损伤阈值	>300mW/cm^2@1064nm 10nS 10Hz 脉冲	侧面电极	铬金电极 (Cr+Au)

基本性质：

晶体结构	三方晶系，空间群 R3c	晶胞参数	a = 0.515, c = 13.863, Z = 6
熔点	1255±5℃	居里点	1140±5℃
莫氏硬度	5	密度	4.64 g/cm³
吸收系数	~ 0.1%/cm @ 1064nm	溶解度	不溶于水
相对介电常数	e^T₁₁/e₀: 85 e^T₃₃/e₀: 29.5	热膨胀系数（@ 25℃）	\|\|a, 2.0 x 10^-6 /K \|\|c, 2.2 x 10^-6 /K
热导率	38 W /m /K @ 25℃

线性光学特性：

透明度范围	420-5200nm	折射率	ne=2.146，no=2.220 @ 1300nm ne= 2.156，no=2.232 @ 1064nm ne= 2.203，no=2.286 @ 632.8nm
光学均匀性	~ 5 x 10^-5 /cm	Sellmeier 方程式（λ 单位：毫米）	n²o (λ) = 4.9048+0.11768/(l² - 0.04750) - 0.027169l² n²e (λ) = 4.5820+0.099169/(l² - 0.04443) - 0.021950l²

非线性光学特性：

非线性光学系数	d33 = 34.4 pm/V d31 = d15 = 5.95 pm/V d22 = 3.07 pm/V	效率非线性光学系数	deff =5.7 pm/V 或 ~14.6 x d36 (KDP) 用于 1300nm 倍频 deff =5.3 pm/V 或 ~13.6 x d36 (KDP) 用于 1064nm 泵浦的 OPO deff =17.6 pm/V 或 ~45 x d36(KDP) 对于准相位匹配结构
电光系数	g^T33 = 32 pm/V，g^S33 = 31 pm/V g^T31 = 10 pm/V，g^S31=8.6 pm/V g^T22 = 6.8 pm/V，g^S22= 3.4 pm/V	半波电压，直流电场\|\|z，光 ^z 电场\|\|x 或 y，光\|\|z	3.03 千伏 4.02 千伏

MgO:LiNbO3 晶体因其较高的电光系数，已成为 Q 开关和相位调制器最广泛使用的材料之一。MgO:LiNbO3 晶体的损伤阈值比无掺杂 LiNbO3 晶体更高。当施加与光传播方向垂直的电场时，基于 LiNbO3 的普克尔斯盒的工作电压比基于 KD*P 的普克尔斯盒更低。LiNbO3 也是波长高达 3.0µm 的红外波段的理想选择。

杭州沙隆光电提供用于普克尔斯盒的高质量抛光、增透膜和金铬电极 MgO:LiNbO3 晶体，MgO 掺杂浓度分别为 0.6%、1.0% 和 5%。还可采购一系列铌酸锂产品，包括 SAW LiNbO3 晶片、非线性 LiNbO3 和 MgO:LiNbO3、用于 EO 调制的 LiNbO3 晶体、光学级 LiNbO3 晶片、MgO:PPLN 晶体、LiNbO3 普克尔斯盒。

适用于光电应用的 DKDP 晶体

高氘化率（>98.0%）DKDP 晶体
宽波长范围：0.3~1.1μm
最大孔径：50mm
高透射率：>98%
Cr-Au 电极

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LiNbO3 Z-Cut, 10x10x20mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

Code: 2043-003

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