适用于光电应用的 DKDP 晶体

高氘化率（>98.0%）DKDP 晶体
宽波长范围：0.3~1.1μm
最大孔径：50mm
高透射率：>98%
Cr-Au 电极

联系我们

模块或类型：

我们可根据您的要求提供各种形状的晶体：

经检验抛光的晶体晶棒
经检验抛光的晶体毛坯
经激光级抛光的晶体
经AR涂层和Cr-Au电极的晶体

规格：

晶体材料	DKDP晶体（氘化程度>98%）	典型直径	6mm; 8毫米; 10毫米; 12毫米; 15毫米
直径公差	+/-0.1毫米	长度公差	+/-0.2毫米
表面质量	20/10 S/D	平行度	<20 角秒
平整度	< Lambda/10 @633nm	倒角	0.1-0.3mmx45°
芯片	<0.15mm	精磨	<0.15mm
方向公差	< 10 弧分	波前畸变	<Lambda/8@633nm
消光比	>2000:1	镀膜	AR/AR@1064nm 或定制
损伤阈值	>800mW/cm^2@1064nm 10nS 10Hz 脉冲	电极位于侧面	铬金电极 (Cr+Au)
四分之一波电压	~3.4KV

物理和光学特性：

化学式	KD2P	居里温度	222K
对称性	42m	密度	2.355g/cm³
吸收率	0.005/cm	消光比	1:10000
氘气比	98.05%--99.05%	透过波段	200-1600nm
非线性系数	d36=0.40pm/v	纵半波电压	2.98KV(I=546nm)
电阻	>2x109Ω/cm	电光系数	r41=8.8pm/v,r63=25pm/v

KD*P 或 DKDP 晶体广泛应用于波长范围从 0.25µm 到约 1.1 µm 的调Q应用。如果氘含量较高，材料的吸收带边缘会进一步向红外方向移动。氘含量 >98% 的 KD*P 晶体可用于波长高达 1.3μm 的波段。KD*P 晶体生长时光学均匀性高，因此推荐用于大口径应用。

杭州沙龙光电提供高氘含量（>98%）的 DKDP 晶体，适用于 KD*P 普克尔斯盒应用，并可根据您的要求提供定制毛坯、抛光晶体、增透膜和铬金电极晶体组件。

用于AO应用的TeO2晶体

用于AO应用的TeO2晶体

高品质因数 (M2=793 x 10^-18S^3/g)
高折射率 (no=2.274, ne=2.430@633nm)
大尺寸能力
宽光学传输范围：350-5000nm
应用：AOM（声光调制器）、AODF（声光偏转器）、AOTF（声光可调滤波器）、FCAOM 等。

...

LiNbO3 Z-Cut, 9x9x25mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

LiNbO3 Z-Cut, 9x9x25mm, Rectangular, Au electroded for EO applications

Code: 2043-002

...

用于光电应用的MgO:LiNbO3晶体

用于光电应用的MgO:LiNbO3晶体

低半波电压
高电光系数
低放大倍数激光器的布儒斯特角
比无掺杂铌酸锂具有更高的损伤阈值
适用于Er:YAG、Ho:YAG和Tm:YAG激光器
SAW铌酸锂晶片、非线性铌酸锂和MgO:铌酸锂、用于电光调制的铌酸锂晶体、光学级铌酸锂晶片以及MgO:PPLN晶体均可提供

...

DKDP（KD*P）晶体

DKDP（KD*P）晶体

适用于多种应用：二次谐波 (SHG)、三次谐波 (THG)、四次谐波 (4HG) 和电光普克尔斯盒
最大尺寸：100x100x60mm
透射波长范围：200-2150nm
提供DKDP毛坯和激光级抛光晶体
严格的质量控制检验，确保产品质量

...

Aperture 10mm 1064nm DKDP Pockels Cells

Aperture 10mm 1064nm DKDP Pockels Cells

Code: 2031-002

...