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  • CsI(Tl)闪烁体阵列
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CsI(Tl)闪烁体阵列

  • 高光输出、强大的阻止能力和机械强度
  • 峰值发射波长为 550nm,与硅光电二极管读出器完美匹配
  • 线性阵列或一维阵列,像素数:1x8、1x16、1x32、1x64、1x128……
  • 二维阵列,像素数:6×10、12×18、24×36……
  • 最小像素或晶体元件尺寸:0.3mmx0.3mm
  • 提供低余辉版本(余辉 0.05~0.39%@2ms),也可定制余辉值
  • CsI(Tl) 闪烁晶体Shalom 也有售EO
联系我们  

规格和功能:

单个像素大小:定制

最小像素大小:0.3x0.3mm

一维或线性阵列:1x8、1x16、1x32、1x64、1x128…像素

二维阵列:6×10、12×18、24×36.....像素等。

余辉:100ms 后 0.6%(最大)(可根据要求提供其他余辉)

反射器: TiO2、BaSO4、ESR 等。

反射器厚度:定制


基本属性:

熔点 (K) 894 密度 (g/cm3) 4.51
解理面 硬度 (莫氏) 2
吸湿性 略微 发射峰值处的折射率 1.79
发射峰值波长(nm) 550 下截止波长(nm) 330
衰减时间(ns) 1000 光输出((光子/KeV) 54

掺铊碘化铯,即CsI(Tl),是最亮的闪烁体之一,其发射峰值位于550 nm,恰好位于其350-700 nm的发射光谱范围内。该范围与光电二极管的光谱灵敏度高度匹配,使得CsI(Tl)成为闪烁探测器中与光电二极管配对的理想选择。这种配对可以消除高压电源,并降低磁场的影响。

除了光学兼容性外,CsI(Tl)还拥有较大的有效原子序数,这使其由于横截面积较大而提高了γ辐射的光吸收效率。其卓越的制动力、坚固的机械性能以及良好的抗辐射性能使其成为严苛环境下的可靠之选。

像素化闪烁体阵列通过将闪烁晶体像素排列成网格状并用反射器隔离而构成,进一步扩展了其用途。这种设计提高了空间分辨率,并确保入射辐射产生的闪烁光被限制在相应的像素内,从而实现事件的精确定位。这些阵列可以形成二维或一维(线性)矩阵,从而可以捕获信号并将其集成到图像中。凭借其独特的性能组合,CsI(Tl) 闪烁体阵列非常适合高能物理、医学成像、测井和航空技术等领域的应用。

杭州煦和光电技术有限公司提供一维或二维 CsI(Tl) 像素化阵列,非常适合用于医学成像和安全应用的 X 射线扫描系统。如有需要,光电二极管可与 CsI(Tl) 阵列组装。根据生长条件,我们也可以制备针对断层扫描应用优化的低余辉 CsI(Tl) 闪烁体。这些低余辉 CsI(Tl) 晶体的典型余辉值为 0.05~0.39%@2ms,但我们也可以定制余辉值。如果您有兴趣,可以点击粗体文字了解更多信息。


应用:

  1. 医用X射线计算机断层扫描(CT)
  2. 环境监测:伽马辐射监测
  3. 安全控制:主动门户监测器、X射线扫描系统、辐射同位素识别装置
  4. 工业 - 卫生物理、中子活化分析、无损检测
  5. 高能物理(HEP)和天体物理的电磁量热仪
  6. 位置灵敏度探测器

绘图:

下图展示了 CsI(Tl) 像素化阵列的设计,由 CsI(Tl) 像素和 TiO2 反射器组成。


CsI(Tl)闪烁晶体

CsI(Tl)闪烁晶体

  • 最大尺寸可达 400mm x 400mm x 100 mm
  • 我们可以提供多种特殊形状和设计的 CsI(Tl),例如中心带孔的 CsI(Tl)/形状良好的 CsI(Tl),以及单窗口或多窗口的 CsI(Tl) 闪烁体。
  • 超高光输出,平均 52 光子 keV
  • 良好的 γ 射线阻止能力和抗辐射性能
  • 发射峰值位于 550nm,与光电二极管匹配良好
  • 坚固的物理特性
  • 可提供低余辉 CsI(Tl)。除了 CsI(Tl) 块体晶体外,我们还提供 CsI(Tl) 闪烁屏和 CsI(Tl) 闪烁体阵列。
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1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

Code: SA-PD16A-16-1.575

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