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  • CdWO4闪烁晶体
  • CdWO4闪烁晶体

CdWO4闪烁晶体

  • 低余辉
  • 高密度、高Z闪烁体
  • 相对较高的光输出和高辐射硬度
  • 提供块状晶体和CdWO4一维/二维阵列
  • 主要应用:安检、X射线CT、高能物理、核医学
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基本性质:

熔点 (°C) 1598 密度 (g/cm3) 7.9
吸湿性 硬度 (ns) 4~4.5
最大发射波长(nm) 475 折射率@最大发射 2.2~2.3
衰减时间 (ns) 14000 光产额 (光子/MeV) 12000~15000
光电子产额 (NaI(Tl) 的百分比) (针对 γ 射线) 30~50 余辉(%@3ms) <0.1
辐射长度(cm) 1.06

 

规格和性能:

生长方法 布里奇曼生长法 最大尺寸 ∅ 80 mm x 200 mm
可选型号 单晶,一维阵列或二维阵列 阵列中像素间的不均匀性 <15%

CdWO4——钨酸镉闪烁晶体具有高密度、高原子序数、相对较高的光输出和较短的衰减时间等特点。在X射线辐照下,CdWO4的余辉非常缓慢,通常在3ms时小于0.1%,并且CdWO4闪烁体还表现出优异的抗辐射性能。这些显著特性使CdWO4成为X射线计算机断层扫描(CT)和X射线安全扫描检查的主要闪烁晶体。

杭州煦和光电可根据客户需求定制CdWO4晶体。我们还供应线性一维和二维CdWO4闪烁阵列。如有需要,后者甚至可以与硅光电二极管耦合。


应用

  • 安全检查
  • X射线CT
  • 高能物理
  • 核医学


CdWO4闪烁体阵列

CdWO4闪烁体阵列

  • 低余辉、高密度、高 Z 闪烁体
  • 相对高的光输出和高抗能量辐射损伤能力
  • 适用于低活度计数应用
  • 可提供 8、16、32、64 个元素的线性阵列和 6×10、12×18、24×36 个元素的二维阵列
  • 最小像素或晶体元素尺寸:0.3mm x 0.3mm
  • 应用说明:安全检查、X 射线 CT、高能物理、核医学
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