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CdWO4闪烁体阵列

  • 低余辉、高密度、高 Z 闪烁体
  • 相对高的光输出和高抗能量辐射损伤能力
  • 适用于低活度计数应用
  • 可提供 8、16、32、64 个元素的线性阵列和 6×10、12×18、24×36 个元素的二维阵列
  • 最小像素或晶体元素尺寸:0.3mm x 0.3mm
  • 应用说明:安全检查、X 射线 CT、高能物理、核医学
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规格与功能:
单个像素大小: 可定制
线性阵列: 8, 16, 32, 64…像素
二维阵列: 6×10, 12×18, 24x36....像素
光输出: 12,000-15,000 光子/MeV
余辉: 3ms 后 0.1%(最大)
反射器: TiO2, BaSO4, ESR等。


基本性质:

熔点 (℃) 1598 密度 (g/cm3) 7.9
吸湿性 硬度 (ns) 4-4.5
最大发射波长 (nm) 475 最大发射折射率 2.2-2.3
衰减时间(ns) 14000 光电子产额 (NaI(Tl) 的百分比) (γ 射线) 30-50
余辉(%@3ms) <0.1 辐射长度(cm) 1.06

 


钨酸镉 (CdWO4) 是一种高 z(大原子序数)闪烁体,具有相当高的光输出和极低的余辉。3ms 时的余辉小于 0.1%。发射峰位于 475nm,总光输出为 12 至 15 个光子/keV。相对于双碱 PMT 上的 NaI(Tl),其光输出为 30% 至 50%。CdWO4 的巨大原子核意味着高阻止本领,使其成为高效的吸收体,尤其适用于高能 X 射线。仅需 3 毫米即可阻止高达 150 keV 的光子。CdWO4 闪烁体的低余辉对于快速检测(例如,在货物集装箱中)至关重要。 CdWO4 因其对高功率辐射的高耐受性而成为高能物理的理想选择。

杭州煦和光电技术有限公司可根据客户需求定制 CdWO4 阵列;我们的 CWO 闪烁阵列常用于 X 射线计算机断层扫描 (CT) 设备、货物安全检查、高能物理和核医学应用。此外,煦和光电技术有限公司还提供块状 CdWO4 闪烁晶体


CdWO4闪烁晶体

CdWO4闪烁晶体

  • 低余辉
  • 高密度、高Z闪烁体
  • 相对较高的光输出和高辐射硬度
  • 提供块状晶体和CdWO4一维/二维阵列
  • 主要应用:安检、X射线CT、高能物理、核医学
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1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

1.575mm pitch x 16 element Si Photodiode Coupled with GOS, CsI

Code: SA-PD16A-16-1.575

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