砷化铟（InAs）晶体和基板

高迁移率、低位错密度
晶格完整性好、电学参数适宜、均匀性高
异质结材料及AlGaSb外延生长的衬底材料
表面粗糙度(Ra)≤5Å
应用领域：红外器件、中波红外量子级联激光器(QCL)、气体监测、霍尔半导体等。

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规格：

材料	InAs单晶	取向	<100>
晶体结构	立方体	密度	5.66g/cm³
熔点	942℃	带隙(@300 K)	0.45eV
尺寸(mm)	10x10x0.5mm, 5x5x0.5mm, D50.8x0.5mm, D76.2x0.5mm	表面粗糙度	Ra≤5Å
抛光	SSP（单面抛光）或 DSP（双面抛光）	封装	1000级洁净室，100级包装袋

InAs晶体的化学性质：

单晶	掺杂	导电类型	载流子浓度	迁移率比率	位错密度
InAs	/	N	5x10¹⁶	2x10⁴	<5x10⁴
InAs	Sn	N	(5-20)x10¹⁷	>2000	<5x10⁴
砷化铟	锌	磷	(1-20)x10¹⁷	100-300	<5x10⁴
砷化铟	硫	氮	(1-10)x10¹⁷	>2000	<5x10⁴

砷化铟（InAs）单晶常用作衬底材料生长异质结材料（InAsSb/In－AsPSb、InNAsSb），用于制作2～14μm波长范围内的红外发射器件。砷化铟（InAs）也可作为衬底材料外延生长用于中波红外量子级联激光器（QCL）的超晶格结构的AlGaSb。InAs广泛应用于气体监测和低损耗光纤通信。由于其迁移率高，是霍尔半导体的理想材料。作为单晶衬底，砷化铟具有位错密度低、晶格完整性好、电学参数适宜、均匀性高等优点。该材料的主要生长方法是经典的液相封装拉晶法（LEC）。

杭州煦和光电可根据要求提供定制的砷化铟衬底和晶圆，表面粗糙度良好，小于0.5nm，并采用1000级洁净室和100级包装袋进行封装。