蓝宝石是用于外延生长各种薄膜的优良衬底材料。蓝宝石具有优异的耐高温性、耐化学腐蚀性、电绝缘性、高透光率、无与伦比的机械硬度和耐磨性。蓝宝石的分子键强，使其能够生产更薄的器件而不会发生断裂。
蓝宝石晶圆和衬底用途广泛，包括但不限于用于半导体的III-V族和II-VI族化合物薄膜生长、发光二极管 (LED)、Y系、La系高温超导 (HTSC) 薄膜，以及微电子集成电路 (蓝宝石上硅集成电路，SOS)、混合微电子应用和铁磁/铁电薄膜生长。
A 面蓝宝石衬底和晶圆由于其均匀的介电常数和高电绝缘性，是混合微电子应用的合适替代品，主要包括HIC 和 MCM。TlBaCaCuO (TbBaCaCuO)，Tl-2212，异质外延超导薄膜可以在 a 面蓝宝石氧化铈 (CeO2) 复合衬底上成功生长，并获得埃级表面光洁度。
R 面蓝宝石衬底 和晶圆在微电子集成电路 (高速蓝宝石上硅，SOS) 的硅异质外延沉积中有着广泛的应用。
C 面蓝宝石衬底 和晶圆也是进行金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 生长的主流选择，除 GaN 外，还可以生长一系列 III-V 和 II-VI 化合物薄膜，例如 AlN、AlGaN 和 InGaN，以制造当前的蓝色、紫色和白色发光二极管 (LED) 和蓝色激光二极管 (LD)。 c 面蓝宝石的另一个用途是生长铁电薄膜。 采用射频平面磁控溅射技术在 C 面蓝宝石上生长的 (Pb, La)(Zr, Ti)O3 (PLZT) 铁电薄膜也是制造新型功能电子产品值得关注的候选材料之一。当用于溅射沉积 Pb(Zr, Ti)O3 (PZT) 铁电薄膜时，蓝宝石衬底表现出比 Si 衬底更低的晶粒间错位程度和理想的击穿电压。
M 面蓝宝石衬底 和晶圆可以胜任 Mn1−xS 的铁磁薄膜生长（例如在日盲紫外探测中 MgxZn1-xO 的 LP-MOCVD 生长）、Cr2O3 和其他钴、Mn5Ge3Cx 等的脉冲激光沉积。
杭州煦和提供用于外延薄膜生长的现成的和定制的蓝宝石衬底和晶圆。 Shalom EO 拥有卓越的生产能力，致力于生产高精度蓝宝石晶圆。我们选用纯度极高的单晶蓝宝石来制造晶圆和基板。我们采用一系列先进设备，在千级洁净室中生产产品。XRD 衍射分析用于测量晶体镶嵌分布，并使用原子力显微镜 (AFM)（参见技术成像部分的报告）进行检查，以确保晶体内部错位最小化并达到最佳表面质量。标准版本采用c 面取向，同时还提供其他取向，包括a 面、r 面和 m 面。最大直径为 6 英寸，基板可进行单面抛光或双面抛光。除了标准的圆形外，还有其他形状，例如正方形和矩形。
通用规格：
基本特性：
技术图像：
1.蓝宝石 (Al2O3) 晶体基板的典型 X 射线衍射 (XRD) 曲线
2. 蓝宝石 (Al2O3) 的典型表面粗糙度基板 <0001>使用 5μm x 5μm 尺度的原子力显微镜 (AFM) 测量