镁铝酸镁（MgAl2O4 或尖晶石）单晶广泛用于体声波和微波器件以及快速集成电路外延衬底。研究还发现，MgAl2O4 是 III-V 族氮化物器件的良好衬底。尖晶石 (MgAl2O4) 是此类 GaN LD 衬底的候选材料之一。MgAl2O4 的晶体结构为尖晶石类型 (Fd3m)，其晶格常数为 8.083 A。MgAl2O4 是一种相对低成本的衬底材料，已成功应用于高质量 GaN 薄膜的生长。MgAl2O4 在 (100) 面上解理。通过沿 (100) 方向简单解理 MgAl2O4 衬底，即可获得 GaN LD 腔体，这对于 ZnO 衬底也同样适用。 MgAl2O4 晶体很难生长，因为难以维持单相结构。
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常用规格：
物理特性：