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蓝宝石(Al2O3)基板

  • 卓越的机械和热稳定性、抗化学腐蚀、电绝缘
  • 最大直径:6 英寸,可提供圆形/方形和定制形状
  • 1000 级洁净室生产和 100 级盒/袋包装
  • 标准或定制
  • 方向:C 型切割、A 型切割、R 型切割、M 型切割或定制
  • 适用于各种材料的外延薄膜生长:III-V 和 II-VI 化合物半导体、蓝/白/紫色 LED(MOCVD 外延生长 GaN 衬底)、微电子 IC 应用(蓝宝石上硅集成电路,SOS)、铁磁/铁电薄膜生长、Y 系列、La 系列高温超导 (HTSC) 薄膜。
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Code Size Thickness Orientation Surface Finish Unit Price Delivery 询价
6505-001 10x10mm 0.5mm C-plane SSP Inquire 2 weeks
6505-002 10x10mm 0.5mm C-plane DSP Inquire 2 weeks
6505-003 Φ12.7mm 0.5mm C-plane SSP Inquire 2 weeks
6505-004 Φ12.7mm 0.5mm C-plane DSP Inquire 2 weeks
6505-005 Φ25.4mm 0.5mm C-plane SSP Inquire 2 weeks
6505-006 Φ25.4mm 0.5mm C-plane DSP Inquire 2 weeks
6505-007 φ50.8mm 0.43mm C-plane SSP Inquire 2 weeks
6505-008 φ50.8mm 0.4mm C-plane DSP Inquire 2 weeks
6505-009 φ100mm 0.65mm C-plane SSP Inquire 2 weeks
6505-010 φ100mm 0.5mm C-plane DSP Inquire 2 weeks
6505-011 φ150mm 1.0mm C-plane SSP Inquire 2 weeks
6505-012 φ150mm 1.0mm C-plane DSP Inquire 2 weeks

蓝宝石是用于外延生长各种薄膜的优良衬底材料。蓝宝石具有优异的耐高温性、耐化学腐蚀性、电绝缘性、高透光率、无与伦比的机械硬度和耐磨性。蓝宝石的分子键强,使其能够生产更薄的器件而不会发生断裂。

蓝宝石晶圆和衬底用途广泛,包括但不限于用于半导体、发光二极管 (LED)、Y 系、La 系高温超导 (HTSC) 薄膜的 III-V 和 II-VI 化合物薄膜生长,以及......微电子 IC(蓝宝石上硅集成电路,SOS)、混合微电子应用和铁磁/铁电薄膜生长。

A 面蓝宝石衬底和晶圆 是 混合微电子应用 的合适替代品,主要包括 HIC 和 MCM, 因为它们具有均匀的介电常数和高电绝缘性。 TlBaCaCuO (TbBaCaCuO),Tl-2212,异质外延超导薄膜可以在 a 面蓝宝石二氧化铈 (CeO2) 复合衬底上成功生长,并获得埃级表面光洁度。

R 面蓝宝石衬底和晶圆在微电子集成电路 (高速蓝宝石上硅,SOS) 的硅异质外延沉积中有着广泛的应用。

C 面蓝宝石衬底和晶圆也是进行一系列 III-V 和 II-VI 族金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 生长的主流选择GaN 以外的化合物薄膜,例如 AlN、AlGaN 和 InGaN,用于制造当前的蓝色、紫色和白色 发光二极管 (LED) 和蓝色激光二极管 (LD)。 c 面蓝宝石的另一个用途是生长铁电薄膜。使用射频平面磁控溅射在 C 面蓝宝石上生长的 (Pb,La)(Zr,Ti)O3 (PLZT) 铁电薄膜也是制造新型功能电子产品值得关注的候选薄膜之一。当用于溅射沉积 Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) 铁电薄膜时,蓝宝石衬底与 Si 衬底相比,晶粒间的取向错动程度较低,且具有理想的击穿电压。

M 面蓝宝石衬底 和晶圆 可胜任 Mn1-xS 的铁磁薄膜生长(例如,在日盲紫外探测中 MgxZn1-xO 的 LP-MOCVD 生长)、Cr2O3 和其他钴、Mn5Ge3Cx 等的脉冲激光沉积。

杭州煦和光电提供现成的和定制的蓝宝石衬底和用于外延薄膜生长的晶圆。Shalom EO 拥有卓越的生产能力,致力于生产高精度蓝宝石晶圆。我们选用纯度极高的单晶蓝宝石来制造晶圆和基板。我们采用一系列先进设备在 1000 级洁净室中生产产品。发货前,我们会进行XRD 衍射分析,并使用原子力显微镜 (AFM)(请参阅技术成像部分中的报告)对产品进行检测,以确保产品具有最佳的表面质量。标准版本采用c 面取向,同时还提供其他取向,包括a 面、r 面和 m 面。最大直径为6英寸,基板可采用单面抛光或双面抛光。除了标准的圆形外,还提供正方形、长方形等其他形状。

通用规格:

材料 Al2O3 晶体或蓝宝石 取向误差 ±0.5 度
取向 A 面 <11-20> 2.379Å
R 面 <1-102> 1.740Å
M面 <10-10> 1.375Å
C面 <0001> 2.165Å
最大直径 6英寸 表面处理 SSP(单面抛光)或
DSP(双面抛光)


基本特性:

晶体结构 六方晶系 晶胞常数 a=4.748Å c=12.97Å
熔点(℃) 2040℃ 晶体纯度 99.99%
密度 3.98 (g/cm3 硬度 9(莫氏硬度)
热膨胀系数(/℃) 7.5 x10-6 介电常数 ~ 9.4 @300K(A 轴) ~ 11.58 @ 300K(C 轴)
热电导率(卡路里/℃ Cm.S) ⊥c //c
23℃ 0.055 26℃ 0.060
77℃ 0.040 70℃ 0.041

线性可变边缘滤光片或连续可变边缘滤光片是一种特殊的光学边缘滤光片,其边缘波长沿滤光片长度方向移动。边缘波长的变化与滤光片沿滤光片的位置呈线性关系。线性可变边缘滤光片包含两个子类别:线性可变长通滤光片和线性可变短通滤光片。线性可变长通滤光片透射特定截止波长以外的光线,同时滤除不需要的光线;线性可变短通滤光片透射指定截止波长以下的光线,同时滤除剩余光线。与提供固定截止/截止波长的传统长通滤光片和短通滤光片不同,线性可变长通和短通滤光片可以灵活地调整截止波长或截止波长,从而精确控制透射光的光谱特性。线性可变边缘滤光片广泛应用于光谱学、荧光显微镜、高光谱成像和光学仪器等各种应用领域。

杭州煦和光电有限公司提供标准和定制的长通和短通线性可变边缘滤光片。这些滤光片结合了微加工技术和薄膜沉积技术,能够生产出高性能的线性可变边缘滤光片,并能精确控制其光学特性。从透射曲线可以看出,这些线性可变边缘滤光片具有陡峭的光谱截止/截止曲线、优异的通带透射率以及高光密度,从而确保了出色的带外光抑制和最小的光谱泄漏。我们的滤光片尤其适用于需要对透射波长范围进行精确且可调谐控制的场合,例如在光谱分析中,滤光片可用于分离特定的谱线或感兴趣的波段。这些线性可变滤光片在严苛的实验室和工业环境中都能提供可靠的性能。

通过将我们的线性可变长通滤光片与相应的线性可变短通滤光片组合使用,可以获得中心波长和带宽均可调谐的可调带通滤光片。


图 1. 我们的线性可变长通滤光片的透射曲线

曲线:

1)蓝宝石 (Al2O3) 晶体衬底的典型 X 射线衍射 (XRD) 曲线

 





2)用原子力显微镜(AFM)在 5μm x 5μm 尺度上测量蓝宝石(Al2O3)衬底<0001>的典型表面粗糙度








Al2O3 Wafers 10x10x0.5mm <100> SSP

Al2O3 Wafers 10x10x0.5mm <100> SSP

Al2O3 Wafers Φ12.7mmx0.5mm <100> DSP

Al2O3 Wafers Φ12.7mmx0.5mm <100> DSP

Al2O3 Wafers D50.8x0.4mm <100> cut DSP

Al2O3 Wafers D50.8x0.4mm <100> cut DSP